一种新型低压电容式RF MEMS开关的设计与分析

介绍了一种基于扭转的新型低压电容式RFMEMS开关的设计.此开关在保留传统挠曲变形的基础上,引入了扭转变形,并利用Intelli Suite等软件进行仿真分析.理论分析和仿真结果表明:与传统弯曲变形不同,在扭转变形中,变形对臂的厚度远比宽度敏感;在保留传统挠曲变形的基础上,增加了扭转变形,将有效降低驱动电压.理论分析还表明增长扭转臂、从动臂可使驱动电压明显下降.通过优化结构设计,在扭转臂、从动臂长为180μm、120μm,臂宽为5μm,厚为1μm,驱动电极面积为120μm×120μm时,仿真得到驱动电压为1.5V.     

大扫描角度下具有极化不敏感特性的超宽带频率选择吸收体

提出了一款具有斜入射稳定特性的超宽带极化不敏感人工电磁吸收结构,与传统结构相比,随着入射角的增大,吸收性能恶化程度大大降低。为了获得宽带和极化不敏感的吸收特性,通过采用两层混合电磁谐振模式的周期结构有耗层与一层反射底板组成的三层吸收结构,设计了电磁波斜入射时最佳的阻抗匹配行为,并利用等效电路模型分析了结构的工作机理。结果表明,该吸收体在60°入射角下仍具有稳定的吸波性能,吸收带宽达到了143.2%,而且在不同极化入射下得到了几乎一致的频率响应。