基于载流子选择性接触的N型晶硅电池钝化特性研究

为了研究载流子选择性接触结构在N型晶硅电池钝化特性,本文设计了专门的材料结构.分析对比了不同掺杂浓度分布的材料结构在退火后、沉积SiNx:H薄膜后及烧结后隐开路电压值的变化,并对其钝化机理进行了分析.研究结果表明隐开路电压值对掺杂浓度分布非常敏感.随着掺杂浓度分布进入硅基体的"穿透"深度增加,相对应地退火后、SiNx:H薄膜沉积后及烧结后隐开路电压值均呈现先增加后减小的趋势,且样片沉积SiNx:H薄膜后隐开路电压的增加幅度也逐渐减小,而样片烧结后隐开路电压值又出现不同幅度的下降,且隐开路电压值的下降幅度逐渐减小.通过适当的掺杂工艺,可以使得烧结后的隐开路电压均值达到738 mV.     

光栅式立体显示器重影问题的研究

光栅式自由立体显示设备由于存在重影问题而限制了它们在商业上的应用,文章从潘弄区和可视区域两个角度分析了光栅式自由立体显示设备产生重影问题的理论原因,并建立一个光学结构模型,推导出人眼所看到的实际像素强度公式。给出一种定义重影度的方法,经软件仿真得到重影度与人眼到显示屏幕距离的关系曲线,基于上述模型和定义对重影问题的改善进行了探讨。软件仿真结果显示通过改善边缘光栅结构能在一定程度上增大可视区域,减小人眼看到重影的几率。     

一种基于阈值电压的新型基准电压源设计

SOC及智能功率集成电路对基准电压源提出了很高的要求。基于阈值电压和BiCMOS工艺,设计了一种新型的电流模式基准电压源。利用NMOS管阈值电压的线性负温度系数产生CTAT电压,与一种常见的PTAT电压相加,产生了对温度不敏感的基准电压。电路基于TSMC0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence Spectre对电路的各项性能进行了仿真验证。仿真结果表明,在宽温度范围(-40℃到120℃)内温度系数为9×10-6/℃,基准电压值为951mV。     

基于卫星云图的风矢场度量模型与算法探讨

首先通过换算视场坐标确定灰度矩阵中每个元素对应的采样点在地球上的经纬度,从而将灰度矩阵转化为卫星云图,并添加海岸线.在此基础上,使用相关匹配法对具有一定时间间隔的两幅相关卫星云图进行模板匹配生成风矢场(云导风)矢量.然后,借助于近年来发展起来的数值微分方法,从图像灰度中提取出图像梯度信息,再利用正则化方法,实现了云导风的反演.对云图中加入灰度梯度信息和未加入灰度梯度信息的风场反演结果进行比较.结果表明,加入图像灰度梯度信息后所实施的新反演方法可有效减小图像干扰的影响,同时也大大提高了风矢量反演的精度,为卫星云图反演云导风探索出一条新路.     

可编程带温度补偿的限流电路设计

介绍一种为反激式DC-DC开关电源设计的限流电路,通过限流对芯片工作的模式切换进行控制,同时为芯片提供过流保护。首先,如果连接在外部限流引脚的限流电阻Rx不变,内部限流电路采用温度补偿技术使得限流值随温度的变化最小。其次,通过调节限流电阻Rx的阻值,使芯片的参考限流值控制在初始限流值的30%~100%之间。最后,分别介绍了限流设定和限流比较模块电路的设计方法和工作原理,实现了通过限流电路对开关电源工作模式的判别和控制。最后,给出了相应的TSMC 0.5 um工艺下的仿真结果,并对仿真结果进行分析。     

考虑差别定价的闭环供应链协调应对突发事件研究

本文以一个新产品和再造品存在差别定价的零售商负责回收闭环供应链为研究对象,研究突发事件干扰下如何采用收益共享契约协调分散式决策闭环供应链的问题。首先,给出了一个可协调稳定环境下分散式决策闭环供应链的收益共享契约;其次,在突发事件同时干扰闭环供应链中新产品和再造品最大市场需求规模的情况下,分析了集中式决策闭环供应链的最优应对策略,并证实了原收益共享契约在突发事件干扰下会失效;最后,通过对原收益共享契约进行改进,解决了突发事件干扰下的分散式决策闭环供应链协调问题,且改进后的收益共享契约也能够协调稳定环境下的分散式决策闭环供应链。     

HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究

对用于HIT太阳电池的单晶硅要求有良好的界面特性,而且要求单晶硅衬底的厚度比较薄.采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底.腐蚀时间为40 min时,能够得到表面反射率最低的界面,平均反射率为10.9%,同时也具有规则的金字塔结构,且厚度满足制作HIT太阳电池的要求,在250 μm左右.还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片,具有较高的腐蚀速率.     

全TOPCon电池正面多晶硅层硼掺杂工艺

为提升隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池光电转换效率,本文通过高温扩散在n型TOPCon电池正面制作p型隧穿氧化层钝化接触结构,提升发射极钝化性能,减少正面金属复合。本文研究了不同沉积时间、推进温度、推进时间等工艺参数对实验样品钝化性能及掺杂曲线的影响。实验结果表明,当沉积时间为1 500 s,推进温度为920℃,推进时间为20 min时,掺硼多晶硅层可获得较优的钝化性能及掺杂浓度,其中样品多晶硅层硼掺杂浓度达到1.40×10²⁰ cm^-3,隐开路电压(iV_oc)大于720.0 mV。依据该参数制备的TOPCon电池光电转换效率可达23.89%,对应的短路电流密度为39.36 mA/cm²,开路电压(V_oc)达到726.4 mV,填充因子(FF)为83.54%。     

考虑电-热储能协同的综合能源系统规划优化研究

针对传统电化学储能造价高导致我国可再生能源消纳困难问题,提出一种考虑电-热储能协同的综合能源系统最优化规划方法。分析铅酸电池和蓄热罐的物理特性,建立其状态表征模型;设计电-热储能系统融合平抑可再生能源出力波动、保障供需平衡、峰谷套利三种功能场景的协同运行策略,建立考虑电-热协同的规划优化策略;基于最优化理论,以年总成本最小为优化目标,提出一种考虑电-热储能协同的综合能源系统规划优化模型,并以改进粒子群算法对模型进行求解。算例结果表明,所提出的模型能够有效提升能源系统的可再生能源消费占比。     

超薄多晶硅的掺杂、钝化及光伏特性研究

本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×10¹⁵ cm^-3,在855 ℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×10²⁰ atoms/cm³,远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×10²⁰ atoms/cm³)。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为:电流I_sc升高20 mA,串联电阻R_s降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。