用于列ADC电路的斜坡发生器设计

设计了一种用于CMOS图像传感器列级模数转换器(Analog-to-Digital Converter,ADC)电路的10位斜坡发生器.详细介绍了电路的整体结构、工作模式以及仿真结果.在电路中采用了两级转换的方式,并设计了电阻阵列式多路斜坡发生器.在Cadence设计平台下,对模拟电路进行了设计、仿真和版图设计.采用0.5μm双层多晶三层金属(Double Poly Triple Metal,DPTM) CMOS工艺对电路进行了制作.仿真结果表明,该设计基本满足相关要求.     

基于逐元暗电流抑制的红外探测器读出电路研究

在航天应用领域,大部分中长波红外探测器都工作在高背景下.由于线列碲镉汞(HgCdTe)红外探测器本身的暗电流较大且各像元的暗电流具有很大的非均匀性,采用常规读出电路方案时的输出信号动态范围过小,甚至部分像元的信号电压也无法读出.采用将电压 电流转换和电流存储单元相结合的方法,设计了一种具有逐元背景抑制功能的中波红外探测器线列读出电路.该方法不仅可以抑制不同像元的暗电流,而且还可以有效提高电路的信噪比,并可增大输出信号的动态范围.电路测试结果表明,在90 K低温下,电路输出摆幅为2V,输出电压的非均匀性下降了70％,因此该研究对中长波红外探测器的工程化设计具有重要的指导意义.     

在电阻阵列像素单元中使用过驱动技术的电路设计

设计了一种用于研究在电阻阵像素单元中使用过驱动技术的电路结构.与国外过驱动技术的实现方式相比,该方式采用开环控制形式,省去了系统闭环计算和查表环节,节省了系统资源,改善了系统的实时性.该电路结构是通过分析过驱动技术原理而设计的,能满足对电阻阵微桥电阻热响应时间t1、过驱动因子Kod和温度动态范围的研究要求,而且符合像素单元面积的限制条件,其Kod在1～1.5的范围内是可调的.对该电路进行了仿真、版图设计,并请华润上华公司(CSMC)用0.5μm工艺进行了流片,最后用搭建的测试系统对该电路的功能进行了验证.结果表明,该电路的过驱动因子符合设计要求.