电子商务专业的学科知识体系研究

在新时期背景下,电子商务专业学科需要不断优化。电子商务专业在发展过程中,基于各类新媒体技术及创新创业的要求,需要在实际教学过程中不断地更新传统知识体系架构,优化知识体系。文中对电子商务专业的知识体系架构进行了分析,思考了人才培育中面临的问题,探讨了电子商务专业学科知识体系进一步完善的策略,希望能为我国电子商务专业的进步提供一定的参考。     

有机-无机复合物[Cu（en）（H_2O）（2,2-′bipy）]_2H_3[BW_（12）O_（40）]·2.5H_2O的水热合成、结构及性质

利用水热合成方法制备了组成为[Cu（en）（H2O）（2,2′-bipy）]2H3BW12O4.02.5H2O的多金属氧簇有机-无机复合物,并用元素分析、IR和UV光谱、XPS、TG、荧光光谱、X射线单晶衍射对化合物进行了表征和性质研究.该化合物属于单斜晶系,P2（1）/c空间群,a=1.951 1（2）nm,b=1.229 76（12）nm,c=2.505 9（3）nm,β=91.266（2）°,V=6.011 1（11）nm3,Z=4.化合物阴离子[BW12O40]5-与配位阳离子[Cu（en）（H2O）（2,2′-bipy）]＋通过静电作用相结合.XPS表明化合物中Cu、W氧化态分别为＋1和＋6价.     

[Cu(en)_2]~(2+)修饰的二维仲钨酸化合物:[{Na_3(H_2O)_(10)}_2H_2{Cu(en)_2(H_2W_(12)O_(42))}]·16H_2O(英文)

利用水热合成法制备了一种基于[Cu(en)2]2+修饰的仲钨酸化合物:[{Na3(H2O)10}2H2{Cu(en)2(H2W12O42)}].16H2O(en=乙二胺)(1),借助元素分析、X射线单晶衍射分析I、R、UV、热分析和X射线光电子能谱对这种化合物进行了结构和性质研究.化合物(1)属于三斜晶系,P-1空间群.晶胞参数为:a=1.183 2(5)nm,b=1.296 0(6)nm,c=1.416 9(6)nm,α=63.348 0(10)°,β=82.844 0(10)°,γ=68.907 0(10)°,V=1.810 0(14)nm3,Z=1,R1[I2σ(I)]=0.024 7,wR2[I2σ(I)]=0.058 2.化合物(1)通过仲钨酸阴离子,铜离子和[Na3(H2O)10]3+三核簇形成了新型的二维层状结构.     

计算器抗静电能力的评估

静电可能使计算器的存储器单元内容改变或丢失,严重的使计算器的集成电路损坏,无法正常工作。通过分析静电产生的原因,用间接放电、接触放电两种方法,评估计算器的抗静电能力,找出防静电的薄弱环节,帮助设计人员有针对性的改善产品,缩短研发周期。     

应力调整对石英玻璃珠低速冲击破碎行为的影响

结合高速摄影技术,应用SHPB加载装置,分别使用钢制、铝制和有机玻璃制3种透射杆,对直径约7.90、11.80、15.61 mm 3种尺寸的石英玻璃珠进行了低速冲击实验。根据不同透射杆条件下的玻璃珠破碎过程中的载荷-位移曲线,结合有限元软件计算玻璃珠在冲击作用下载荷的变化情况以及实验过程中玻璃珠的应变,探讨了应力调整对玻璃珠破碎过程的影响。结果表明:相同冲击条件作用下,改变透射杆的材料,会改变玻璃珠破碎过程中的载荷分布,即透射端边界波阻抗的改变会导致反射波发生改变,从而导致玻璃珠内部载荷发生变化;透射杆为铝材和有机玻璃材质时,玻璃珠在破碎过程中的载荷明显下降,在加载过程中伴随着垫块的变形,玻璃珠内部的应力调整时间变长;透射杆为钢杆时,玻璃珠的应变主要表现为两端最大,越靠近中间应变越小,对于透射杆为铝杆和有机玻璃杆的玻璃珠,透射端局部出现了卸载行为。采用有机玻璃透射杆之后,局部应力和变形降低的结果使得玻璃珠在经受较大的变形之后发生破碎,表明玻璃珠的破碎行为由局部变形和局部变形梯度共同控制。     

用于实时刻蚀深度控制的光干涉测量法

对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面:一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止,二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中,由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样,因而通常采用OES(光发射谱)方法进行终点检测,在刻蚀去除一种材料进入另一种材料时其光发射谱会产生变化,就可以用作工艺控制的终点检测。然而在第二种应用中,刻蚀过程中并不会出现光发射谱OES的变化,对刻蚀深度的控制通常由设定刻蚀工艺的时间来确定,但这种控制方法在实际工艺中很难达到高的控制精确度和可靠性。     

[Cu（en）_2]_2[Cu（en）_2（H_2O）][PW_（11.5）Cu_（0.5）O_（40）]·OH·3H_2O的水热合成及结构表征

利用水热合成法制备了基于Keggin结构阴离子的1D链状化合物[Cu（en）2]2[Cu（en）2（H2O）][PW11.5Cu0.5O40].OH.3H2O,并经红外、紫外和X射线单晶衍射等手段进行了表征.标题化合物属于单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数：a=1.266 25（10）,b=2.145 45（19）,c=2.455 95（18）nm,β=114.919（3）,V=6.050 9（8）nm3,Z=4,R1=0.068 1,wR2=0.146 8.     

用于实时刻蚀深度控制篚光干涉测量法

对等离子体刻蚀工艺过程中进行刻蚀的终点检测主要应用在以下两个方面：一是刻蚀穿透一种材料并在另一种材料的表面刻蚀过程终止．二是在一种材料内刻蚀到所需的深度后终止。在第一种应用中．由于刻蚀过程中不同材料的光发射谱是不一样．因而通常采用OES（光发射谱）方法进行终点检测。