高响应度倍增型碳纳米管-有机红光探测器

采用溶液旋涂方法将单壁碳纳米管与有机红光材料结合并制作出红光探测器,研究了单壁碳纳米管对PBDTTT-F∶PCBM本体异质结活性层薄膜的影响机理及其红光探测器的光电特性.利用原子力显微镜,荧光光谱和紫外-可见吸收光谱等方法对器件进行性能表征及优化.当单壁碳纳米管为最优掺入比1.5wt%时,在-1V偏置电压时,红光光照下该探测器响应度为535mA/W,比探测率达到3.8×1012 Jones,外量子效率达到104%.结果表明,将单壁碳纳米管与有机红光材料结合,有利于提高有机共轭聚合物的聚集以及结晶度,增强光吸收,可为活性层提供高迁移率的电荷传导通道,优化薄膜互穿网络形貌.同时,利用碳纳米管的多激子产生效应,使得有机光电探测器的光电性能大大改善,外量子效率超过100%,为无机-有机光电探测器的进一步开发提供参考.     

高速PCB电磁兼容性设计

讨论了在高速PCB设计中电磁干扰的产生原理,阐述了提供低阻抗的射频电流回路、避免串扰等抑制电磁干扰的措施来满足PCB的电磁兼容性。对高速PCB设计有一定的指导作用。     

一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路

研制出一种高抗辐射的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。在阐述其工作原理的基础上 ,进行了抗辐射设计与版图设计。通过实验分析找到了向 SOI材料的 Si O2 埋层注入 F+ 离子的优化注入条件 ,有效地抑制 SOI CMOS器件的阈值电压的漂移 ,提高了电路的抗辐射性能。采用注入 F+离子 SOICMOS工艺投片后测试结果表明 :该电路与同类体硅电路相比 ,具有高速、低功耗、测量精度高以及优良的抗辐射性能     

双基区大功率快恢复二极管的研究

提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。     

应用于L波段的新型左右手复合微带天线

设计了一种基于加载并联电感的新型左右手复合微带天线,利用电磁波在有耗介质中传播的色散关系,分析其只存在零阶和正阶的电磁波工作模式,通过简单调节微带天线馈电点的位置实现微带天线的单频或者双频工作.仿真和实验结果表明:这种微带天线的零阶和一阶模式电磁波的工作频率在L波段,零阶辐射模式为全向辐射模式,一阶辐射模式为定向辐射模式.     

旋转双棱镜大范围快速高精度扫描技术

大范围、快速、高精度扫描是光电探测、激光雷达、红外对抗等领域的一项关键技术,目前传统的扫描方式很难兼顾这些指标。首先分析了旋转双棱镜用于大范围、快速、高精度扫描的优势;其次介绍了前向扫描和反向扫描的原理和方法,并重点对反向扫描的不同算法(一阶近似法和矢量光学法)进行了分析;最后建立了旋转双棱镜快速扫描仿真系统,对两种反向扫描方式的有效性和精度进行了验证,结果显示,在±1.5°扫描范围内,一阶近似方法精度约20″,而矢量光学方法约1″。文中为大范围快速高精度扫描领域提供了新的技术途径。     

高速图像处理系统中DDR2-SDRAM接口的设计

为了满足高速图像处理系统中需要高接口带宽和大容量存储的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的设计方法,提出一种基于VHDL语言的DDR2-SDRAM控制器的方案,针对高速图像处理系统中的具体情况,在Xilinx的ML506开发板上搭建了简单的图像处理系统平台并进行了连续读/写标准VGA格式图像数据的实验,在显示端得到了清晰不掉帧的图像结果,具有结构简单和高速存取图像的特点。     

一种勾形磁场新磁屏蔽体优化设计与分析

本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上,提出一种新的磁屏蔽体结构,并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象,对其进行了模拟分析及优化设计.结果表明:安匝数一定的情况下(33600),采用新型磁屏蔽体的勾形磁场较现有勾形磁场的磁场强度Br,提高了约27.03;;当坩埚侧处产生横向磁场强度均为491Gs时,其功耗下降了约35.97;;该研究为进一步降低功耗提供了一种设计思路及设计方法.     

具有光电倍增的宽光谱三相体异质结有机彩色探测器

实验研究了P3HT：PBDT-TT-F：PCBM三相体异质结活性层光谱拓宽及其材料混合度对探测器光电特性的影响以及陷阱辅助光电倍增的机理.在此基础上,获得了一个覆盖350–750 nm波长范围的彩色探测器.该探测器在-1 V低偏压下红绿蓝三基色的光响应度和外量子效率分别达到了470,381,450 mA/W和93%,89%,121%,比探测率均接近10¹² Jones,且各基色的特性参数最大平均相对偏差均小于20%,同时频率带宽分别达到了5,8,8 kHz.结果表明：在保持二相体异质结薄膜原有微观形貌下,掺入少量光谱拓宽材料可实现活性层吸收光谱的拓宽.利用能级陷阱中电子的辅助作用引入外电路空穴注入,可实现探测器光电倍增.通过调节三相材料的混合度可实现基色间探测能力的均衡性.