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介绍了以Ta/Ta2O5/Cu为结构的平板MIM电容器的制备方法和性能测试,探究金属Cu直接作为钽电解电容器阴极层的可行性。通过阳极氧化法在钽箔表面制备非晶态的Ta2O5薄膜,以化学镀铜、磁控溅射镀铜两种镀铜工艺制备Ta/Ta2O5/Cu结构,并对所得结构进行结构表征和性能测试。实验结果表明:不同镀铜方式制备的Ta/Ta2O5/Cu结构在电学性能测试过程中都没有表现出电容特性,正负极之间的电阻仅有0.7Ω;以金属Cu直接作为钽电容器的阴极层会导致金属铜在测试过程中被氧化成铜离子从而进入Ta2O5介质层中,进而导致Ta2O5的击穿,因此金属铜不适合直接作为钽电容的阴极层。 相似文献
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