用于光学实验的稳态汽泡式低温恒温器

本文报道一台用于光学实验的稳态汽泡式低温恒温器的结构和性能。该恒温器的工作温度是4—300K。     

调制掺杂GaAs/N-AlGaAs异质结的制备及输运性质

本文报道利用垂直束源式的分子束外延设备,生长了高质量的调制掺杂GaAs/N-AIGaAs异质结构,液氦温度下的二维电子迁移率达4.26×10⁵cm²/V·s(非光照)、5.9×10⁵cm²/V·S(光照)。用脉冲磁场下的磁声子共振测量,得到了二维电子的有效质量,并研究了异质结构中二维电子的低场迁移率增强特性及低温强磁场下的量子霍耳效应。 关键词：     

高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究

研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1.368eV处(B峰)的两个峰及它们在低能方向的一级、二级、三级声子伴线.初步确定A峰、B峰分别与受主杂质Zn、Cd有关.实验测定了InP中纵向光学声子(Lo)的能量约为43meV,并给出了电子、声子耦合强度s值.     

高纯度砷化镓残留受主BA、DA峰的电子声子耦合

研究了高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs 在4.2K的光致发光谱.观测到1.44—1.46eV范围内有若干发射峰,它们是残留受主的BA、DA峰的一级声子伴线.由光致发光谱测定了GaAs中纵光学声子能量约为36meV.用一级声子线强度与零级声子线强度之比值定出了C_(As)、Si_(As)和Ge_(As)的s值.实验结果表明在高纯度GaAs中,对于同一种受主杂质,BA峰的s值大于DA峰的s值.     

NbTi-Nb_3Sn混合超导磁体Nb_3Sn芯磁体的研制

采用掺 Ti 铌管法(NbTi)_3Sn 导体以及“不均匀电流密度绕组设计”,“先绕制后反应”和“环氧真空浸渍”等技术制造的 Nb_3Sn 磁体适合用作 NbTi-Nb_3Sn 混合超导磁体装置的 Nb_3Sn芯磁体,其高场性能优异,体积小、重量轻、容许励磁速度快,承受失超能力强,所研制的净孔为28.5mm(重2.5kg)、30.3mm(重3.0kg)和41mm(重3.95kg)的 Nb_3Sn 磁体分别成功地用于工作中心磁场 14T,12T 和11T 的NbTi-Nb_3Sn 混合超导磁体装置.     

利用稳态汽泡式低温恒温器测量GGG:Cr~(3+)的低温荧光谱

采用新近发展起来的稳态汽泡式低温恒温器,在5- 300K 温度范围,测量了GGG:Cr~(3+)的荧光谱。在低温下观测到尖锐的R_1和R_2荧光线。随着温度的升高,R线变宽并红移。利用R_1和R_2线的荧光强度比,计算了标称温度为5.6K时的样品真实温度为7K。     

高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究

本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE-CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl3-Ga-H2系统中生长的高纯VPE-GaAs的剩余受主杂质为C、Zn、Si、Ge。但是在AsCl3-Ga-N2系统中生长的高纯VPE-GaAs只检测到受主杂质碳。本文还研究某些生长条件对杂质引入的影响。     

光荧光法测定硅中磷、硼含量

本文介绍了用液氮温度光荧光谱测定硅中磷、硼含量的方法.磷、硼浓度的校准曲线由变温霍耳系数的实验结果所确定.     

11T超导强磁体的研制

本文介绍了内径为40mm,磁场为11T的NhTi和Nb_3Sn组合超导磁体的设计,制作工艺和实验结果.     

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光

<正> 砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.