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TFT-LCD能否赢得大尺寸显示市场 总被引:2,自引:0,他引:2
主要介绍了液晶面板发展中伴随着母基板尺寸越来越大所需的技术革新.如喷墨法的使用、掩膜板与溅射工序的取消以及制造成本的缩减等。 相似文献
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发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注.与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势.总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构.对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述.对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望. 相似文献
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锂喹啉配合物作为电子注入层对有机电致发光器件性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用锂喹啉配合物(8-hydroxy-quinolinato lithium,Liq)作电子注入层,制备了结构为氧化铟锡/锂喹啉配合物铝{ITO(indium tin oxidc) TPD(N,N′-di-phenyl-N,N′-bis(3-mmethylphenyl)-l.l′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3[tris-8-hydroxy-quinolinato)aluminum] Liq AI的电致发光器件。通过改变电子注入层Liq的厚度,考查了Liq厚度对器件电致发光效率及电流密度-电压关系的影响。实验表明Liq厚度大约为0.5nm左右时器件的性能最佳、电致发光效率约为没有Liq器件效率的5倍,而定电流下的工作电压最低,其原因可归于Liq在金属铝电极与有机层Alqs之间产生偶极层,使铝与有机层间的界面接近欧姆接触,从而使电子注入效率大幅提高;随着Liq厚度的增加,器件的电致发光效率降低,而定电流下的工作电压升高,与同类型以LiF作注入层的器件相比,这种器件性能受厚度影响而变化的趋势是类似的,但以Liq作注入层的器件具有较低的厚度敏感性,这是由于LiF为绝缘体,而Liq为半导体的缘故。Liq作注入层器件的这种对注入层厚度的不敏感性对批量生产中所用的大尺寸基底来说是非常有利的。 相似文献
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为了得到高对比度的聚合物发光二极管(PLED).设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为:CrOx/Cr/1TO/Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配.以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14.7:1.这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果,对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。 相似文献
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借助于表面增强共振拉曼光谱散射(SERRS)技术,研究了一种新型的偶氮聚合物材料侧链含咔唑与偶氮分散红共聚物(CAP)在化学沉积法制备的银膜表面的拉曼峰增强和吸附行为。实验结果显示,CAP在银表面的状态为: 聚合物通过咔唑单体中咔唑基团和偶氮单体中硝基与银膜衬底发生物理吸附,而聚合物的主链与衬底相距较远没有相互作用。可以推测,聚合物在衬底表面的这种状态将对偶氮光存储器件的稳定性和工作效率产生不良影响。 相似文献
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利用Liq(8-hydroxy-quinolinato lithium)作电子注入层,制备了结构为ITO(indium tin oxide)/TPD(N,N′-diphenyl-N,N′—bis(3—methylphenyl)—1,1′biphenyl-4,4′diamine)/Alq3(tris-(8-hydroxy-quinolinato)aluminum)/Liq/Al的电致发光器件。实验表明,以Liq作为电子注入层器件的效率约为无Liq器件的5倍。其原因可归于Liq在金属铝电极与Alq3有机层之间产生偶极层,从而形成铝与有机层间的欧姆接触,使电子注入效率大幅提高。 相似文献
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以蓝色发光材料DPVBi为基质的白色发光器件 总被引:8,自引:3,他引:5
白色有机发光器件是实现彩色平板显示的重要方案之一。利用蓝色发光材料DPVBi[4,4′—(2,2—苯乙烯基)—1,1′—联苯]掺杂红光染料DCJTB[4—氰甲烯基—2—叔丁基—6—(1,1,7,7—四甲基久洛尼定基—9—烯炔基—4H—吡喃)]作发光层制备了白色发光器件。研究了DPVBi掺杂不同浓度IDCJTB薄膜的光致发光性质,根据光致发光结果,制备了以DPVBi掺杂不同浓度DCJTB作发光层的电致发光器件,其结构为ITO/GuPc/NPB/DPVBi:DCJTB/Alq3/LiF/Al。当DCJTB质量分数为0.0008时,器件实现了白色发光(色度x=0.25,y=0.32),电致发光和光致发光的掺杂比例基本相符,表明器件的白色发光主要是由基质DPVBi向掺杂剂DCJTB的能量传递产生的。研究还发现:白色器件随电压升高,光谱中蓝色成分相对于红色成分的比例略有增加,文章对此现象进行了分析。该白光器件在14V时达到最高亮度7822cd/cm^2,在20mA/cm^2电流密度下的亮度为-489cd/cm^2,最大流明效率为1.75lm/W。 相似文献