X射线探测器的脉冲标定技术

利用强流电子束技术产生通量密度为10¹⁸—10¹⁹X-ray photon/sr·s的脉冲CuKX射线源,标定PIN型硅二极管半导体探测器对X光子的脉冲灵敏度。用绝对X射线监测器——P10气体脉冲电离室作为脉冲X射线通量密度的标准。脉冲电荷自动测量仪由微处理机进行程序控制,并予以实时校准。该电离室测量通量密度的精度为±5％,适用的能通量率范围可达4×10^-9—2×10²W/cm²,适用的光子能量范围为1.5—10keV,标定探测器的精度为±7.0％,并发现PIN型硅二极管的脉冲灵敏度比稳态X射线束标定的灵敏度高30％左右。 关键词：     

在强场中产生相干高次谐波的真空紫外软X射线源的进展

评述了用不同激光系统获得的高次谐波，亚皮秒６１６ｎｍ同步泵浦的染料激光和亚皮秒３０８ｎｍ ＸｅＣｌ激光。讨论了激光脉冲宽度，激光波长和原子 介质对所产生的光子数和最大能量的影响。高次谐波振荡强烈地依赖聚焦条件，还讨论了Ｓｔａｒｋ效应的作用和电离极限的影响。在谐波产生的坪区和低于电离原子所需的饱和强度下，光子数按ｂ＾３τ定标律变化，τ为激光脉冲宽度，ｂ为激光共焦参数。     

环境因素影响下特高压电压致热型设备表面温差修正方法研究

1000 k V电容式电压互感器（Capacitor Voltage Transformer, CVT）、1000 kV气体绝缘金属封闭开关设备GIS(Gas Insulated Switchgear)出线套管、1000 k V避雷器是特高压变电站内主要的电压致热型设备,其内部缺陷具有表面温差小、热点不明显的特点,且易受环境因素影响,通常需要在理想环境条件下开展红外精确测温进行缺陷诊断。然而若现场环境条件短时间内无法满足要求,则可能导致缺陷的进一步发展,因此有必要研究非理想环境条件下测温结果的修正方法。本文建立了3类特高压电压致热型设备的温度场仿真计算模型,结合传热学理论研究了光照强度、环境温度、风速大小等环境因素对特高压电压致热型设备表面温差的影响规律,结果显示,3种因素的增强均会导致表面温差不同程度地下降,需将其修正至理想环境条件下的真实温差。最后利用数据拟合的方法,获得各类环境因素影响下实测温差与真实温差的曲线表达式,进一步总结出非理想环境条件下特高压电压致热型设备表面温差的修正方法,并通过变电站现场应用验证了修正结果的准确性。     

SPIE国际光学年会

1.会议概况 1992年1月19日至25日,SPIE(The Society of Photo-optical Instrumentation Engineers)在美国洛杉矶机场Hilton饭店召开了国际光学会议。 会议收到1100多篇论文,同时,举办了96个短期课题与27个专业技术会议。 会议历时6天,约有2000多人参加。其间举办了约有200多个厂商参展的光学产品展销会,使我们感兴趣的美国SCHOTT玻璃技术公司和MILITARY光学设备公司分别展出的各种材料(如碳化硅、Be、Al和Metal Matrix)的轻质镜,其最大直径可达35cm。展示的光学元件与光学系统的性能检测仪器中绝大部分