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利用光热电离谱技术研究了4.5K下高纯n-GaAs外延材料的远红外光电导响应借.给出CPE法和VPE法生长的高纯GaAs材料残留浅施主杂质分别是S、Sn和Sn、P等杂质.实验结果表明本所高纯GaAs组采用的LPE生长技术能有效抑制杂质St和Sn的沾污.  相似文献   
2.
介绍了知识经济的特征和主要发展规律,通信企业现状及传统管理模式在知识经济时代主要弊端,提出了制定知识管理战备的建议。  相似文献   
3.
介绍了知识经济的特征和主要发展规律,通信企业现状及传统管理模式在知识经济时代主要弊端,提出了制定知识管理战略的建议。  相似文献   
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