Chemical Liquid Phase Deposition of Thin Aluminum Oxide Films

Introduction Inorganic oxide films have attracted a lot of interest in the last several decades. Among them, silicon dioxide films are widely used in modern microelectronics, optics and mechanics. This material has been grown by various methods including thermal oxidation, chemical vapor phase deposition, plasma-enhanced chemical vapor phase deposition, and so on.1,2 Recently, Nagayama et al.3 have reported that SiO2 thin films could be produced by a new chemical method of liquid phase depos…     

ASON RSVP-TE信令中一种快速刷新LSP状态的方法

ASON(自动交换光网络)中控制平面通常采用RSVP-TE信令协议,必需周期性地刷新每条LSP状态.文章讨论了一种快速刷新LSP状态的方法:采用Srefresh集合刷新消息一次刷新多条LSP状态;比较了该方法相对常规刷新方式的优点,分析了该方法的刷新过程,并给出了在多任务操作系统下的实现过程.     

在既约梯度法中有限性转轴的简化

In [1], a finite pivoting process was introduced, by which the convergence ofthe reduced gradient algorithm under certain conditions has been proved. In thispaper, we give two simplified versions of the process, which have all the propertiesstated in [1].     

高速长距离光孤子传输系统和准线性传输系统

针对高速长距离光纤传输系统,本文介绍了光孤子传输和准线性传输系统的概念及其传输特性,针对单信道和波分复用两种传输模式,比较分析了它们在高速长距离传输中的优劣,并对它们的发展前景提出了自己的观点。     

高速长距离光孤子传输系统和准线性传输系统

针对高速长距离光纤传输系统,本文介绍了光孤子传输和准线性传输系统的概念及其传输特性,针对单信道和波分复用两种传输模式,比较分析了它们在高速长距离传输中的优劣,并对它们的发展前景提出了自己的观点。     

GaN HEMT器件结构的研究进展

Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。     

GPON中一种二端动态带宽分配算法的设计与分析

首先对GPON中现有的动态带宽分配算法进行了阐述,然后提出了一种有效QoS保证的二端动态带宽分配算法,并给出了该算法的实现流程图.接着针对几种负载下的不同业务吞吐量情况对该算法进行了分析,最后得出了该算法可以满足动态带宽分配公平性的结论.     

基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器

采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器.该滤波器的通光孔直径约为70 μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm.并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调谐光滤波器透射谱的峰值半高宽的影响.     

结温对高压白光LED光谱特性的影响

高压LED因其自身突出的特点在照明领域有着潜在的应用优势,但作为一种新型功率LED,其光电热特性仍需深入研究。该实验对6和9V GaN基高压LED芯片进行了相同结构和工艺条件的封装,对封装样品进行了10~70℃的变温度光谱测试,并进行了从控温平台温度到器件结温的转换。为保证器件的电流密度相同,6和9V样品光谱测试的工作电流分别设定为150和100mA。结果显示,结温升高会导致蓝光峰值波长红移、波长半高宽增大、光效下降和显色指数上升等现象。在相同平台温度和注入功率下,9V样品的结温低于6V样品;随着温度的升高,9V样品波长半高宽的增加量比6V样品少1.3nm,光效下降量少1.13lm·W~(-1),显色指数上升量少0.28。以上表明,与低压LED相比,高压LED有着更低的工作结温和更小的温度影响。原因在于,相同环境温度下高压LED具有更好的电流扩展性和更少的发热量。此特性在高压LED的研究、发展与应用等方面具有参考价值。此外,峰值波长仍与结温有着较好的线性度,在光谱设备精度较高的情况下可继续作为结温的敏感参数。