In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH化学腐蚀腔面激光器

用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿<110>方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μm In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP化学腐蚀腔面激光器.单面化学腐蚀腔面激光器的阈电流密度与常规解理腔面器件相比,未见增高.而双面化学腐蚀腔面激光器则有较高的阈电流密度.     

氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关

研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流予注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3um,注入电流为32mAT得到光开关反射端消光比为18dB,无注入时的关态串话为-19dB.     

载流子注入全内反射型GaAs/GaAlAs光波导开关

研制出利用载流子注入能带填充效应制成的全内反射型(CI-TIR)GaAs/GaAlAs光波导开关。开关工作波长为0.87μm,工作电流70mA,消光比14dB,串话-13dB。该开关具有尺寸小,与偏振无关,无阻塞,易集成的优点。     

室温连续激射的1.55μm质子轰击条型InGaAsP/InP激光器

制备了室温连续工作的1.55微米质子轰击条型 InGaAsP/InP 双异质结激光器。室温下的最低阈电流密度是2000 A/cm~2.平均归一化阈电流密度是5000 A/cm~2μm。室温附近的阈值特征温度是48 K。在1.3倍直流阈值下呈单纵模工作。     

红外光谱减光技术的应用实验

采用红外光谱减光技术,改进了小面积样品测量、低温样品测量及带有碳黑填充剂样品测量时的实验条件,使低光能通量下测得的光谱质量得到提高,其结果可与通常条件下所获得的光谱质量相比拟。