SiC半导体技术--即将腾飞的新一代半导体技术

电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC 材料可以让器件具有迄今为止设计工程师们梦寐以求却不能得到的出色特性。其最重要的优点包括以下几个方面：:工作结温高达225 ℃，而相应的漏电流只有适度的增加。由于本质上不会出现热偏移thermal run－away)，故可以在 很高的结温下可靠的工作。 没有正向或反向恢复，故即使在高温 下以高频工作时，也没有开关损耗。 甚至可以实现开关损耗极小、频率 高达1 M H z 的深度切换(h a rd 正向电阻具有…     

面向便携设备应用的小型燃料电池

面向便携设备应用的燃料电池正在逐渐走向实用化。从2007年月起,乘客可将装有甲醇、甲酸、液化气(丁烷)等可燃性液体的燃料盒带上飞机。同时,这些燃料电池的安全性、性能试验方法及兼容性等     

包含高阶摄动项的光学孤子演化方程的严格推导

利用奇异摄动多重尺度导数展开法,从非线性介质中的原始Maxwell方程组出发,导出了修正非线性schrdinger方程,给出了其不同形式的等价的两种表达式;同时还指出了Kodama利用约化微扰法推导此方程的不严格之处。     

新型含氧亚甲基和亚胺桥键液晶化合物分子结构与光谱的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论方法在B3LYP/6-31G*水平上对6个新型含氧亚甲基和亚胺桥键液晶化合物分子的几何结构进行优化计算,讨论了取代基H,CH3,CH3O,C2H5O,NO2,Cl对分子电荷、前线轨道能量和电子吸收光谱等性质的影响.在此基础上使用含时密度泛函理论方法计算了分子第一激发态的电子垂直跃迁能,得到最大吸收波长λmax.计算表明,取代基的引入导致最大吸收波长红移.     

一九八八年日本部分大学入学试题选解(二)

12.设f(x)是x的实系数三次多项式,最高次项的系数是1.若f(x)=0有三个不同的根:α,β,γ,而且α~2,β~2,γ~2也是这一方程的三个不同的根,试求出f(x)。     

三位一体综合管理

本文通过企业推行一体化管理体系的实践，介绍了其避免重复工作，统筹推行体系运行的优越性。     

1993年莫斯科数学奥林匹克练习题选

１９９３年莫斯科数学奥林匹克练习题选千溪所编材料选自莫斯科１９９３年出版的一本小册子，内容共分四个年级段（８—１１），可供中学高年级中对数学感兴趣的学生练习．做题时，可先挑选自己喜欢的题目去做，第一次做不出来没关系，过一些时候再来求解．（一）１２０个...     

移动产品用元器件发展浅析

微电子和电子元器件制造业在各方面为移动技术提供了很好的硬件支持——从半导体电路、显示器、印刷电路板一直到通用电子部件。依靠技术上的不断创新,移动设备将朝着紧凑、轻量化、多功能化的目标继续迈进。     

SDI接口数字监视设备的设计与实现

介绍了一种对SDV(串行数字视频)信号进行解码的设备设计方案，提出了该系统的总体构架，并对该系统的硬件设计、软件设计进行了全面的论述。设计的产品具有较高的性能价格比，已进入了推广阶段。