STUDY OF MICROSTRUCTURE AND ELECTROLUMINESCENCE OF ZINC SULFIDE THIN FILM

The electroluminscent zinc sulfide thin film doped with erbium, fabri cated by thermal evaporation with two boats, are examined. The surface and internal electronic states of ZnS thin film are measured by means of X-ray diffracti on and X-ray photoemission spectroscopy. The information on the relations between electroluminescent characteristics and internal electronic states of the film is obtained. And the effects of the microstructure of thin film doped with rare earth erbium on electroluminescence are discussed as well.     

掺铒硫化锌交流电致发光薄膜的表面结构

对研制的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜,进行了表面的 Ｘ 射线衍射（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 及发光亮度测量。研究认为薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势,表层碳、氧主要来源于吸附与玷污,绝缘层选择高介电常数、低电阻率的材料,可进一步提高器件质量     

Nd:YAG连续激光诱导下InP的Zn掺杂

Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂。形成PN结。用电化学C-V方法和扫描电子显微镜对辐照后的样品进行分析研究,给出激光辐照功率、辐照时间等工艺参数对结深、浓度分布影响.在n-InP片表面得到受主浓度分布均匀、高掺杂（～1019cm-3）、浅结（～1μm）的P-InP。初步分析其掺杂机理是激光诱导下所形成的合金结过程。     

高效率ZnS:Er ACTFELD的研制

对掺饵硫化锌交流电致发光薄膜器件 (ACTFELD) ,根据载流子隧穿势垒层会获得能量增益 ,提高激发效率的原理 ,通过改变常规ZnS :ErACTFELD的基本结构 ,研制出多阻挡层器件。实验证实 ,这种多阻挡层器件具有高的阈值电压和高的电致发光亮度。