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针对多台阶器件结构深层表面光刻工艺中存在的问题,对不同台阶高度分别测量了台阶表面及台阶底部沉积的光刻胶厚度,并对台阶高度与光刻胶厚度的关系进行数值描述与分析.基于Beer定律对薄光刻胶光吸收系数的描述,分析了通过实验得到的不同曝光时间下光刻胶的光强透过率曲线,解释了随着曝光时间的增加光刻胶光强透过率发生变化的原因,同时认为光刻胶光吸收系数与光刻胶厚度密切相关.在此基础上,确定了台阶底部堆积光刻胶完全曝光所需时间.优化平面光刻工艺,在不同台阶高度的深台阶表面及底部同时制作出窄线条的高质量图形. 相似文献
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研究了以铟锡氧化物(ITO)薄膜作为电流扩展层及 出光窗口层的红光LED的漏电增加和抗静电能力下降的问题。结果发现,器件漏电和抗静 电能力造成危害的因素并非ITO本身,而是芯片切割过程中侧 壁的机械损伤和划片之后ITO颗粒沾污导致的PN结 短路。通过化学腐蚀工艺清保芯片切割处的ITO薄膜、切割过程中侧壁 的机械损伤痕迹和ITO颗粒的沾污,不仅使带ITO扩展层的LED器件的光提取效率提高 了10%以上,抗静电能力提高了1.6倍,而且器 件的漏电未受任何影响。 相似文献
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