宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。     

GaN HEMT非线性输出电容寄生参数研究

分析了GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,Cout与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形。选用GaN HEMT 器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率（DE）为81.7%,功率附加效率（PAE）78.56%,功率为41.16dBm,在100M带宽内PAE也可达74.49%以上,并且结构简单。实测结果验证了原理分析的可靠性。     

基于背景对消的微波活体目标探测与定位

研究微波对活体目标的探测与定位,为提高活体目标的探测精度和定位的准确性,文中提出并验证了两种不同消除背景回波的方法,一种是把某一时刻的数据作为背景干扰,其他各时刻数据依次减去作为背景干扰的数据,此方法适用于活体目标相对静止的情况,即目标除了呼吸心跳外其他身体部位没有运动;另一种是间隔一个固定时间两个时刻的数据,间隔时间后面的数据减去间隔时间前的数据,此方法适用于活体目标走动或肢体摆幅较大情况。通过实验验证了不同方法适合不同的活体目标的状态。