薄膜混合微电路返工工艺研究

混合微电路的返工和返修是降低生产成本的重要手段之一。由于引进了表面安装技术和片式元器件，返工和返修已可以实现。试验证明，经两次返工，两次高温烘烤后，仍可获得合格的混合微电路。     

一种能有效降低NiCr薄膜TCR的工艺

利用固相扩散的原理,我们试验出了一种能有效降低NiCr薄膜电阻TCR的新工艺——蒸发-扩散法。 采用蒸发-扩散法工艺制作了一种TCR优于±10ppm/℃(-55～125℃)的改性NiCr薄膜电阻,其性能达到了MIL-83401C中H级的要求。 采用转靶X射线衍射仪,测得改性NiCr薄膜为一种无序多晶结构。采用XPS(光电子能谱)和AES(俄歇电子能谱)法对改性的NiCr薄膜进行了微观研究,发现Au在NiCr薄膜中进行了深度扩散。随着Au的扩散,NiCr薄膜的电阻率提高,而温度系数(TCR)明显下降,从而提高了NiCr薄膜电阻器的稳定性和可靠性。     

高频磁控溅射低温度系数铬硅薄膜电阻

采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。