用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究

采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.     

质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究

采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。     

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子,并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明,只在纯硅区探测到了硅化钴;而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．     

离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响

利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50—200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃下薄膜主要是石墨成分,表面粗糙.沉积能量大于140eV,800℃时薄膜表面分立着高度取向的、垂直衬底表面、相互平行的开口碳管.用高分辨电子显微镜看到了石墨平面的垂直择优取向,离子的浅注入和应力是这种优先取向的主要机理. 关键词： 非晶碳 表面形貌 质量分离低能离子束     

硫系薄膜阈值开关机理的探讨

本文通过不同温度下阈值电压及恢复过程等基本特性的测量说明：开关行为在较高温度下主要是热的机构,而在低温下似乎是无极性电过程起主要作用;恢复过程基本上是一个热的恢复过程,即使在低温时,仍需考虑不可避免的热作用的存在．     

CoSi_2超薄外延膜的生长研究

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素     

用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜

采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化铈（１１１），（２２２）峰，半高宽≤２３″。