一种基于熵源分离模型的可重构安全原语

在信息爆炸时代,信息的安全问题受到了广泛关注。在物联网设备的加密协议中,物理不可克隆函数(PUF)与真随机数发生器成为加密协议中基本的安全原语,提供了轻量级的解决方案。文章提出了一种熵源分离模型,能够分离环形振荡器中抖动(真随机数发生器的熵)和工艺偏差(PUF熵)引起的延时。基于该模型,在FPGA上设计了一种可重构的双工作模式电路,通过改变模式可分别生成PUF和真随机数。相较于FPGA上独立设计的PUF和真随机数发生器,该结构具有资源开销小、面积利用率高、功耗低等优势。实验结果表明,生成的PUF稳定性高、唯一性强、均匀性好;真随机数序列均通过了NIST测试,具有高随机性和不可预测性。     

丙烯酸化环状磷腈/环氧丙烯酸酯光固化体系热降解动力学研究

以TGA为手段, 进行了丙烯酸化环状磷腈/环氧丙烯酸酯光固化体系热降解动力学的研究, 同时与加入粉末状环状磷腈混合体系进行了对照. 采用Kissinger, Flynn-Wall-Ozawa和Friedman三种方法计算了固化膜降解反应活化能, 证明了磷腈结构的引入, 使得体系在高温阶段的活化能有所提高, 表明降解变得困难, 热稳定性得到提高. 而反应型丙烯酸化环状磷腈相对粉末状环状磷腈混合体系具有更高的降解活化能.     

正畸弓丝与托槽间摩擦力建模及试验研究

正畸矫治过程中,正畸弓丝与托槽间的相对滑动趋势将产生摩擦力,进而降低有效矫治力,影响矫治的性能和效率. 针对目前正畸摩擦力预测方法量化预测精度低的问题,依据正畸弓丝与托槽间的几何关系、力学关系及物理参数,提出一种基于分力叠加原理的计及接触角度的正畸摩擦力预测模型建立方法. 探究影响正畸摩擦力的主要因素以及变化规律,提出采用有限滑动法测量正畸摩擦力,搭建了基于六维力传感器的正畸摩擦力测量系统,进行了不同弓丝-托槽组合和不同接触角度的摩擦力测量,试验数据与预测模型的理论数据间误差率处于0.55%~9.65%之间,证明该预测模型可为医师明确正畸矫治器参数-摩擦力-矫治力的关系提供理论依据,为实现数字化正畸提供理论支撑,保证个性化正畸方案的高效、高可靠性和高舒适度,最终达到轻力矫治的效果.      

一种基于FPGA进位逻辑的RO PUF设计

物理不可克隆函数(PUF)作为一种可有效地应对硬件安全问题的电路结构,在近些年得到了广泛的关注.环形振荡器(RO)PUF由于不需要完全对称的布线方式,因此被认为是最理想的PUF结构之一.现有的ROPUF设计愈加复杂且需要"硬宏"来固定电路,这导致PUF的移植性很差.文章利用FPGA中固有的进位逻辑资源实现RO PUF,...     

Riemann流形第一特征值的线性逼近

对于Ricci曲率下有界的紧连通Riemann流形,其Laplace算子的第一特征值的线性逼近如何? 这里给出了使用计算机辅助证明的解答,它在一定意义下是最佳的.     

三维荧光与紫外光谱联合表征样品中猝灭剂赋存状态:以胡敏酸与Fe(Ⅲ)相互作用为例

利用三维荧光-紫外光谱表征了荧光猝灭剂的赋存状态,当样品体系中存在Fe(Ⅲ)的情况下,胡敏酸会发生荧光猝灭现象,而其紫外光谱基本不受影响。考察了胡敏酸荧光强度I值(Ex/Em=300 nm/510nm)和紫外吸光度A值(UV300)的变化,I/A比值越小,说明水样中猝灭剂Fe(Ⅲ)浓度越高。当胡敏酸为10,15和20 mg·L~(-1)时,根据Stern-Volmer公式I/I_0=1-f_c×K_c×[c]/(1+K_c×[c])以及拟合函数I/A=f×[k/(CFe~(3+)+c)+b],拟合得到荧光猝灭常数K_c=1.08~1.15,比例系数f_c=1.10~1.14之间,胡敏酸荧光强度值与吸光度比值(I/A)及铁离子浓度(C_(Fe~(3+))相关曲线系数f=0.83~1.19,k=587.19~612.19,c=0.87~0.92,b=-87.09~-46.36,拟合曲线相关性R~2均为0.99。Stern-Volmer公式描述了Fe(Ⅲ)对胡敏酸荧光的猝灭作用,但实际样品测定时难以获得无猝灭剂时的荧光强度I_0。基于荧光强度I_0与紫外吸光度A之间的内在联系,两者比值I/A与Fe(Ⅲ)浓度c的拟合函数亦可以反映Fe(Ⅲ)对胡敏酸荧光的影响。利用拟合公式预测城市污水厂及纳污河流样品的树脂分离富集液中铁离子浓度,与电感耦合等离子体发射光谱仪实际测量值相比,铁离子浓度较高的情况下(铁离子浓度大于0.4 mg·L~(-1)时)预测结果较好,可以判断猝灭剂的存在及相应浓度。     

取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究

用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线,并研究了In2O3纳米线的场发射性质,发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线,这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故.     

取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究

用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线，并研究了In₂O₃纳米线的场发射性质，发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线，这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故. 关键词： 场发射 纳米线 取向 非取向     

氢氧化钠固体和二氧化碳反应实验的创新设计*

正1 设计思路为解决已有实验方案中的不足,笔者设计一种直接用NaOH固体与CO2反应的实验装置,没有水的参与,控制无关因素,不必再用水做对照实验,真正排除了水对实验的干扰,减少多次重复操作的麻烦。且能从可视化的角度观察到反应过程中水的生成,突破已有的改进方案中无法证明反应过程中生成水的不足。2 实验药品和仪器经过研磨的NaOH粉末、装有CO2的干燥矿泉水瓶(建议采用560 mL容积,选择瓶底比较硬或比较厚的矿泉水瓶)、装有20     

半导体制造工艺中铝金属突起缺陷的研究

通过对铝金属成膜工艺参数实验和研究发现,提高铝成膜温度、弱化铝的(111)晶向以及增加抗反射层Ti的厚度都可以减少或者避免铝金属突起这种缺陷的发生。在半导体生产制造过程中,铝线在后续IMD(层间膜)成膜过程中容易产生孔洞缺陷。对于该缺陷业界有多种解决方法,其中在铝线刻蚀后把烘烤温度增加到400～450度是一种比较彻底的解决方法。但是增加烘烤温度很容易导致另外一种缺陷,即铝金属突起,这种缺陷在大块铝线的侧面更容易产生,严重时