自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描．明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23～39 meV．     

IP实时传真协议需求与解决方案

阐述了ＩＰ实时传真协议需求，基于Ｔ．３８协议，针对传输协议的选择、网络丢包、 时延、抖动等问题所需求的解决方案加以讨论，并给出了相应的参数计算过程。     

Optimization of highly efficient terahertz generation in lithium niobate driven by Ti:sapphire laser pulses with 30 fs pulse duration

We systematically study the optimization of highly efficient terahertz(THz) generation in lithium niobate(LN)crystal pumped by 800 nm laser pulses with 30 fs pulse duration. At room temperature, we obtain a record optical-to-THz energy conversion efficiency of 0.43% by chirping the pump laser pulses. Our method provides a new technique for producing millijoule THz radiation in LN via optical rectification driven by joule-level Ti:sapphire laser systems, which deliver sub-50-fs pulse durations.     

广电业务推广策略探讨

广电业务的推广为人们实现了电视娱乐、网络购物、人际交往等各个方面的需求.同时,电视、网络媒体类广电业务的推广担负传递信息、舆论导向的重要社会功能.因此,广电业务运营企业或者部门应努力克服当前存在的难题,如缺乏专业人才以及缺乏适当的宣传手段等,使得广电业务的推广更加深化.只有这样,广电业务才能真正的为我国的经济建设、文化发展服务.     

采用TMS320VC33 DSP的电阻抗成像系统的设计

电阻抗成像是近二十年发展起来的一种成像技术。文章提出了一种用TMS32 0VC33DSP设计的电阻抗成像系统 ,由于TMS32 0VC33具有高速、高精度的优点 ,系统的成像结果得到了预期的效果     

基于渗透边界的Bump型面反设计方法

为克服乘波体方法设计Bump型面灵活性不足的问题,发展出一套可适用于三维非结构网格的渗透边界反问题设计方法。融合渗透边界和运动边界的处理方法,应用扩展的流线追踪技术将渗透边界的反问题设计技术扩展到三维非结构网格。在激波面上将渗透速度与激波切向速度组合成"虚拟渗透速度",通过追踪该速度获得修正后的激波面形状。在24325的网格量下得到最终的Bump型面及其激波形状只需3min左右,与正圆锥流场截取的Bump型面相比误差为1.5%左右。通过数值计算表明渗透边界的反问题方法设计的Bump型面可以有效地排除前体低能流。从而为Bump型面的设计提供了一个新的方法。     

meso-四(对羟基苯基)卟啉的合成——一个本科开放性实验

在综合性开放实验中开展了meso-四(对羟基苯基)卟啉(THPP)的化学合成及理化性质测定,通过文献调研,综合运用所学知识,分析可能的反应机理,探讨影响产率的主要因素,优化了反应条件,使产率得以提高。     

融合时空特征的视频序列表情识别

针对视频表情识别,静态特征不能有效描述人脸区域沿时间轴动态变化信息的局限,该文提出一种融合动态纹理信息和运动信息的表情识别方法,借鉴LBP-TOP原理,提出具有时空域描述能力的时空韦伯局部描述子(STWLD)来提取动态纹理信息,同时采用分块光流直方图(BHOF)描述运动信息,最后利用SVM对融合后的纹理和运动信息完成表情分类。在CK+和MMI表情数据库上的交叉实验结果表明,相比基于单一特征的识别方法,所提方法取得了更好的效果;与其他相关方法的对比实验也验证了该方法的优越性。     

自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

Dielectric properties of dithiol self-assemble monolayers (SAMs) under ac electric field were presented. Using a Hg-SAM/SAM-Hg junction, the ac impedances of dithiol SAMs were measured using a sinusoidal perturba- tion of 30 mV (peak-to-peak) with the frequency ranging from 1 Hz to 1 MHz at zero bias. The contributions from dithiol SAMs and solvent interlayers were separated due to their different behaviors at ac impedance. The peak position in the loss spectra (the plot of tg± vs: frequency) moves to low frequency with the increase of chain length of dithiols. Using a correlation of peak position with the chain length, the active energies of 23-39 meV for dithiol SAMs of C6-C10 under an ac electric field were derived.