带中心抽头平面螺旋结构巴伦设计与实现

一.引言 随着无线通信市场的飞速发展,便携式通信设备对于体积、功能和功耗等各方面的性能要求越来越高.尤其是低功耗设计引起了人们越来越多的重视,因为低功耗可以在同等情况下提供更长的电池使用时间.因此,用相应的无源器件代替有源器件从而减小系统的功耗和体积成为一种趋势.     

超低功耗低相位噪声CMOS LC-VCO的设计与实现

设计了一种全集成交叉耦合变压器反馈的LC压控振荡器（LC-VCO）,该VCO即使在电源电压低于阈值电压的情况下实现了低相位噪声和超低功率消耗。该超低功耗的VCO采用SMIC 0.18um 数模混合&RF 1P6M CMOS工艺进行了流片验证。测试结果表明：电路在0.4 V电源供电和工作频率为2.433 GHz时,相位噪声为-125.3 dBc/Hz@1MHz,核心直流功耗仅为640uW。芯片的工作频率为2.28-2.48 GHz,调谐范围为200 MHz (8.7%),电路的优值为-195.7dB。该VCO完全可以满足IEEE 802.11b接收机的应用要求。     

带隙基准电路的理论分析与设计仿真

带隙基准是一种产生与电源电压无关并且基本不随温度变化的基准电压的电路。本文通过简单的理论分析,阐明一种最基本的带隙基准工作原理,通过仿真设计出了一个带隙基准电路,给出在设计过程中需要重点仿真的参数。我们采用该教学方法,取得了良好的教学效果。     

高耦合系数层叠结构片上变压器的频率无关等效电路

针对高耦合系数层叠结构的片上变压器提出了一个新型2-Ⅱ集总元件等效电路模型.主要基于解析公式提取了该模型的元件参数.由于该模型中伞部元件取值均与工作频率无关,因此该模型完全可以用于射频集成电路设计中的时域瞬态仿真及噪声分析.为了验证该模型的精度,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了一个高耦合系数层叠结构片上变压器,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了其S参数.测量结果表明该模型在高于两倍自谐振频率范围内均能够与测试结果很好地符合.     

黄土地基微型桩基础上拔及下压承载性能研究

在软土地基中,微型桩常用作输电线路杆塔基础,而在黄土地区的应用相对较少。为了研究黄土地基微型桩基础的上拔及下压承载性能,本研究基于微型桩原位静载荷试验,分析了桩长、桩径及黄土湿陷性等不同参数对微型桩承载性能的影响;同时创建了三维桩土相互作用的有限元模型,对比其数值模拟结果与试验数据,验证了有限元模型的正确性,进一步分析了桩长、桩径及桩身弹性模量对其抗拔及抗压承载性能的影响。结果表明：相比其抗拔承载力而言,黄土湿陷性对微型桩抗压承载力的影响更大,且浸水后微型桩基础的破坏曲线斜率更大。黄土地基微型桩的竖向承载特性主要取决于桩侧摩阻力,桩长对抗拔、抗压极限承载力影响较桩径显著。上述研究对微型桩基础在黄土地区的应用具有较好的参考价值。     

高耦合系数层叠结构片上变压器的频率无关等效电路

针对高耦合系数层叠结构的片上变压器提出了一个新型2-Ⅱ集总元件等效电路模型.主要基于解析公式提取了该模型的元件参数.由于该模型中伞部元件取值均与工作频率无关,因此该模型完全可以用于射频集成电路设计中的时域瞬态仿真及噪声分析.为了验证该模型的精度,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了一个高耦合系数层叠结构片上变压器,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了其S参数.测量结果表明该模型在高于两倍自谐振频率范围内均能够与测试结果很好地符合.     

毫米波频段宽带CMOS片上巴伦的分析与建模

详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现.首先分析了应当采用的结构及参数化版图.然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型,该模型考虑了各种必须考虑的物理效应.通过采用物理公式与优化拟合相结合的方法提取了模型参数,以保证模型在很宽频带范围内具有较高精度.最后,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了两个具有不同几何参数的巴伦,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了S参数.测量结果表明在高达毫米波频段范围内,模型仿真结果与测试结果符合得很好.     

Design and realization of an ultra-low-power low-phase-noise CMOS LC-VCO

A fully integrated cross-coupled LC tank voltage-controlled oscillator(LC-VCO) using transformer feedback is proposed to achieve a low phase noise and ultra-low-power design even at a supply below the threshold voltage. The ultra-low-power VCO is implemented in the mixed-signal and RF 1P6M 0.18-μm CMOS technology of SMIC. The measured phase noise is-125.3 dBc/Hz at an offset frequency of 1 MHz from a carrier of 2.433 GHz,while the VCO core circuit draws only 640μW from a 0.4-V supply.The designed VCO can...     

毫米波频段宽带CMOS片上巴伦的分析与建模

详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现.首先分析了应当采用的结构及参数化版图.然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型,该模型考虑了各种必须考虑的物理效应.通过采用物理公式与优化拟合相结合的方法提取了模型参数,以保证模型在很宽频带范围内具有较高精度.最后,采用台湾半导体制造有限公司(TSMC)提供的0.13μm混合信号/射频CMOS工艺实际制作了两个具有不同几何参数的巴伦,并使用Agilent E8363B矢量网络分析仪测量了S参数.测量结果表明在高达毫米波频段范围内,模型仿真结果与测试结果符合得很好.