深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法

详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。     

低压/低功耗VLSI中器件结构的设计

随着个人数据处理和通信技术的发展,设备的小型化推动着ＶＬＳＩ向低压、低功耗的工作方式转化。但硅ＶＬＳＩＡ电路在室温（Ｔ＝３００Ｋ）下工作,会受到各种因素的限制,如静态漏电流、穿通、速度等。文章从ＭＯＳ器件的物理角度,阐述低压、低功耗ＭＯＳ集成电路中器件结构的设计,并给出了器件的模拟特性。     

用于微波CAD系统的FET大信号模型

针对微波ＣＡＤ系统中使用的各种肖特基结场效应管模型，进行综合性分析与比较后，给出了最新的，用于仿真电路非线性特性的精确模型－基于测量的数据模型（查表式模型），该模型与物理模型及工业标准经验模型相比，不仅更真实地反应了器件等效电路的端口特性，建模过程更加简单。     

亚微米MOSFET的BSIM3模型参数提取

文章采用ＨＰ的ＩＣ－ＣＡＰ对亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型参数进行提取,给出了器件结构、测试系统及提取结果,并对提取模型的精确性进行了分析。