相干叠加态高次谐波发射的时间行为分析

本文研究了一维模型分子离子(初态为基态和一个激发束缚态叠加的相干态)在超强超短激光脉冲作用下的谐波发射谱.我们发现在高次谐波谱平台区域出现了周期性的结构变化.我们利用小波变换对谐波谱进行了暂态时间频率分析,结果表明该谐波结构产生的原因是由电离电子返回母离子时与不同束缚态复合而产生的谐波光脉冲之间相干叠加.同时采用半经典计算,对所得到的计算结果进行了分析,验证了我们的结论.     

存储器闪存领域展开低成本竞争通过集成ECC提高可靠性成为潮流

在成本竞争激烈的闪存领域，所发布的主要内容为使用多值技术、提高了集成度的数据存储用存储器。在DRAM和SRAM领域，发布的内容主要集中在高速化方面。在所有存储器中，片式ECC电路成为了此次会议的亮点。存储器的种类不同，使用ECC电路的目的也不同，ECC电路主要被应用于提高可靠性及数据的传输速率、降低待机时的消耗电流等方面。     

改进的本征态展开方法求解含时薛定谔方程

本改进了原有的本征态展开方法。通过从能量E到q=（2E）的平方根的表象变换，不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居，而且大幅度地减少了计算时间。利用这个高效的方法，我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱。     

三、七、A与黑桃皇后

说老实话,我一直对《黑桃皇后》没有多少好感,柴可夫斯基的歌剧语言似乎总是有点别扭,俄罗斯和意大利风格搀和在一起,有点两边都不着落的感觉,有些地方管弦乐非常优美,可是咏叹调却稍逊一筹,旋律性强了戏剧性就兼顾不上,不够精彩.但是,这并不影响我欣赏这张DVD的兴致,因为歌剧是靠看的,听唱片和看戏完全是两码事,面对舞台,许多困顿的心结都会有迎刃而解的轻松,所以,剧场演出永远是舞台艺术的生命,歌剧同样如此.     

可溶性导电高分子的合在

本文以聚乙炔类导电高分子为重点简要地综述了可溶性导电高分子的合成与研究现状。     

從一個濃度的溶液粘度計算特性粘數

高分子的特性粘數要從幾個濃度的溶液粘度數據外推得到,在某些情况下往往戚覺不便,例如要很快知道結果,試樣很少,稀釋不便,實驗中途發生意外僅得一個數據等。因此文献中有在給定濃度下(例如0.5％溶液)測定η_r,即以ηsp/c或lnηr/c代表分子量。 現在我們來看下面幾種表示溶液粘度數據的方程式:     

一个用于电路设计的实验性专家系统“模块”

建立了一个用于模拟电路设计的称为“模块”的实验性专家系统,目的在借此研究实现高水平电路专家系统的途径及方法。“模块”系统只需根据给定的对电路的输出及输入信号的要求,就能自动而快速地完成电路的方框设计,而这些工作通常是需要由电路设计者来完成的。     

三辛基氧化膦(TOPO)萃取铟的研究

本文研究了三辛基氧化膦(TOPO)自盐酸溶液中萃取铟的性能,其萃取率是随酸度的增加而增加。与P_(350)和TBP相比较,萃取能力大小顺序为:TOPO>P_(350)>TBP经斜率法和化学分析法研究确定,TOPO白盐酸溶液中萃取铟的反应为:In_((a))~(3+)+H_((a))~++4Cl_((a))~-+2TOPO_((o))F(?)HInCl_4·2TOPO_((o))IR和NMR研究证明:铟是以H[InCl_4]形式被萃入TOPO有机相中的。     

0．8μm SOI CMOS技术及电路研制

SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验。