光学曝光系统

<正> 半导体集成电路是在不断追求高密度和低成本的过程中发展起来的。今天,64KDRAM已发展到了全盛时期,256KDRAM 也进入了批量生产阶段。光学曝光设备也随着这些器件的发展,由接触式光刻发展到1:1反射投影式及缩小投影的分步重复式光刻,同时实现了高精度化及多功能化。上述发展的结果,导致     

内圆切片机

<正> 半导体器件、IC、LSI等的基片材料,主要使用硅、化合物半导体(GaP,GaAs,Inp等)。这些基材料是从圆柱状晶锭上采用切片方式获得的。这种切片方式有多种,而半导体片子多用内圆金刚刀片切割。     

半导体器件自动装配工艺发展趋势及存在的问题

在半导体装配工艺中主要是芯片封装,从制造晶体管的初期到目前为止一直采扩凭借操作者将引线一条一条地焊接起来的方法。但是,随着电子装备的高度化、复杂化,集成电路的集成度也在从小规模向中觌模、大规模方向发展,这样,一个芯片内的电极数目也增多了,为了增大集成度就需要把多数个中规模、大规模集成电路芯片封装在一个管壳里。随着对这种多芯片大规模集成电路需要的增加,原来主要靠操作技巧的手动引线焊接装配方式已不适应生产的要求。因为此种方式不但效率低,而且也不可靠,目前正朝着自动引线焊接或者无引线焊接的方向急速发展     

半导体制造设备市场的现状和发展趋势

<正> 在器件技术、工艺技术、材料技术的进步和半导体工业迅速发展的促进下,半导体制造设备取得了迅猛的持续的增长。在日本,近年来由于设备向国产化方向发展,使得设备市场更加呈现出一派繁荣景象。今后继续活跃的技术革命还将使半导体设备产业继续发展。     

国外光刻技术现状及发展趋势

<正> 前言光刻技术是微细加工的核心。到目前为止人们提出并采用有如下几种方式:接触式光刻;1:1反射投影光刻;直接在硅片上分步重复光刻(DSW);电子束光刻;软X射线复印;离子束光刻。     

可编程序划片锯

<正> 用极薄的砂轮切割硅片在半导体工业中早就得到了应用,其特点已为人们所注目。但是能充分发挥砂轮性能的切割装置目前还没有问世。砂轮和机械正如车的两个轮子一样,缺少哪一个都没有使用价值。所以,将砂轮、机械、切割技巧三者合为一体,在通盘考虑的基础上去研制砂轮切割装置才是当务之急。     

最近用于半导体加工的边缘技术

<正> VLSI和微细加工从晶体管向IC→LSI→VLSI的不断发展是维持现代电子学基础的产业革命,它带来了巨大的变革,所谓“半导体冲击”的影响是深远的。作为晶体管乃至VLSI的原料一硅,是地球上最丰富的石头的主要成分。昭和四十年代初期,在数毫米见方的硅芯片上充其量能集成数十个晶体管,而现在,存储器领域的主要产     

激光蚀刻——一种新式超LSI制造技术

<正> 东京芝浦电气公司的研究人员发现,置于氯气中的硅片如用激光照射,被照射部分会因化学反应而被蚀刻。利用这种现象,不用光致抗蚀剂也能在硅片上形成超LSI图形(无抗蚀剂蚀刻法)。该技术的出现将使LSI制造工艺的中心环节——图形形成工艺大大简化,预计可削减到     

掩模检查设备

<正> LSI、VLSI正以飞快的速度向微细化、高集成化方向发展着,目前已从批量生产的64K位DRAM向256KDRAM逼近。随着设计规划的缩小,将光掩模(以下简称掩模)图形转印到硅片上的光刻方法也正从接触式曝光向投影式曝光乃至缩小投影的步进曝光方式迅速变化着。     

光学曝光系统

<正> 和一年前一样,一九八六年半导体工业继续陷于不景气之中,八七年的前景如何,现在还不十分明朗,但总的发展趋势不会有大的改观。 作为半导体尖端技术开发和生产技术实用化的前哨战,技术上首先碰到的是微细加工问题,其典型器件就是DRAM。这种格局还将长期地延续下去。目前仍使用硅材料的DRAM,其高集成化的速度一如既往,还将以每三年四倍的增长率发展下去,与之同步前进的微细加工技术目前已达到用1微米设计线宽制做