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聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样 总被引:4,自引:0,他引:4
亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求。许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1]。FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2]。原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服。利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段。本文介绍该技术使用的具体方法。实验过程实验所用设备为美国fei.公司所生产的FIB200型… 相似文献
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集成电路TEM分析的制样技术 总被引:2,自引:0,他引:2
对集成电路芯片特定部位作透射电镜分析,样品制备是非常关键的一步。为此,许多实验室发展了各种针对性的制样技术。通过吸取各种制样技术的长处,结合目前一般TEM实验室的制样条件,本文介绍一种用于普通TEM实验室的IC芯片具体制样方法-使用玻璃陪片,在光学显微镜监视下,以机械减薄形成“劈”形试样,使被分析目标在“劈”的“刃口”上。最后用低角度离子磨削使被分析目标附近形成理想的电子透明薄区。 相似文献
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