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硅外延双层结构的厚度测量 总被引:1,自引:1,他引:0
硅外延是一种性能优良的半导体材料,在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用。FTIR(Fourier—Transform Infrared Spectrophotometry)技术是目前普遍采用的测量硅外延层厚度的先进方法,具有准确、快速、稳定、无损伤等其他方法无可比拟的优势。FTIR方法对于常规的低掺杂双层外延结构,只能测出两层外延的总厚度,而不能测出两个外延层分别的厚度。文章通过试验数据,证明了FTIR测试方法能够同时测量双层外延层结构的硅外延片的两层厚度,并提出了对中间层外延的电阻率的要求,同时对ASTM—F95标准中提出的FTIR法测量硅外延层厚度时对外延层和衬底层电阻率的要求,提出了新的范围。 相似文献
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