2.4GHz动态CMOS分频器的设计

对现阶段的主流高速CMOS分频器进行分析和比较,在此基础上设计一种采用TSPC(truesingle phase clock)和E-TSPC(extended TSPC)技术的前置双模分频器电路.该分频器大大提高了工作频率,采用0.6μm CMOS工艺参数进行仿真的结果表明,在5V电源电压下,最高频率达到3GHz,功耗仅为8mW.     

一种中速高精度模拟电压比较器的设计

设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0．35μm5VCMOS工艺实现一个输入电压2．5V、速度1MS／s、精度12位的逐次逼近型MD转换器。Hspice仿真结果表明：在5V供电电压下,速度可达20MHz,准确比较0．2mV电压,有效校准20mV输入失调,功耗约1mW。     

不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性

利用金属有机化合物气相外延技术研究了Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的外延生长及器件制作,重点比较了具有不同Al Ga N层厚度的HEMT器件的静态特性.实验发现具有较薄Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性.栅长为1μm的器件获得了6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和10 0 m S/ mm的最大跨导.     

晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性.该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用.     

基于DDR IP核视频图像缓存的设计与实现

在现代图像采集显示系统中,常常需要用到大容量、高速度的存储器,DDR为当前存储器应用的主流.采用了64 bit数据位宽的DDR IP核利用DDR的双倍数据传输速度的优点并结合了双口RAM的高速缓存特点,基于Ahera公司的Cyclone Ⅲ系列FPGA开发板在两种平台下实现了数据传输和图像缓存,并使用逻辑分析仪Sign...     

晶体硅太阳电池扩散气氛场均匀性研究

为降低晶体硅太阳电池的制造成本,从扩散气氛场角度提出实验方法,优化扩散工艺均匀性。该研究方法可改善太阳电池电性能并对产业化生产起指导作用。     

基于CY7C68013A的USB通信程序开发设计

USB总线（Universal Serial Bus通用串行总线）是用来连接外围设备与计算机的新式接口,文中给出了利用CY7C68013芯片上所集成的I2C控制器来控制USB设备上数据传输的实现方法。该方法同时利用NI公司的LabVIEW来对上位机进行编程,而对USB设备则采用控制传输方式,这样同时保证了传输速度和数据的正确性。     

单片弛张振荡器的温度补偿方法

介绍单片弛张振荡器的工作原理,分析弛张振荡器产生输出频率误差的原因及温度对输出频率的影响,推导出振荡器达到零温度系数的条件,提出一种弛张振荡器内温度补偿方法,只要在设计电压基准源的温度系数时结合振荡器的需要来考虑,利用该方法就可以使弛张振荡器方便地获得较好的温度系数,大大缩小面积和降低成本.最后给出仿真波形.     

一种中速高精度模拟电压比较器的设计

设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0.35μm 5 V CMOS工艺实现一个输入电压2.5 V、速度1 MS/s、精度12位的逐次逼近型A/D转换器.Hspice仿真结果表明:在5 V供电电压下,速度可达20 MHz,准确比较0.2 mV电压,有效校准20 mV输入失调,功耗约1 mW.