非掺SI-GaAs单晶热处理的研究

采用闭管Ａｓ气氛保护高－低－中温热处理方法进行非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热处理的研究，结果表明晶体的特性有明显的改善，一般晶体的迁移率可提高一倍以上，在Φ３英寸非掺ＳＩ－ＧａＡｓ单晶研究中，其晶体的电阻率不均匀性≤１５％；ＥＬ２ＲＳＤ≤５％；ＰＬ－Ｍａｐ－ｐｉｎｇ≤９％。     

高温与电子束辐照共同作用下SiOx材料的结构演化研究

本文利用透射电子显微镜原位加热技术研究了高温下SiOx材料的结构演化行为,并通过EELS谱分析了SiOx材料结构的化学组成变化.研究结果表明:在高温作用下,电子束辐照对SiOx材料的相分离过程起到了促进作用;高密度电子束辐照是SiOx材料中产生孔状结构的主要原因;SiOx材料在高温和电子束辐照作用下,会快速形成纳米硅镶...