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一种用于高速14位A/D转换器的采样/保持电路 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种采用0.35 μm CMOS工艺的开关电容结构采样/保持电路.电路采用差分单位增益结构,通过时序控制,降低了沟道注入电荷的影响;采用折叠共源共栅增益增强结构放大器,获得了要求的增益和带宽.经过电路模拟仿真,采样/保持电路在80 MSPS、输入信号(Vpp)为2 V、电源电压3 V时,最大谐波失真为-90 dB.该电路应用于一款80 MSPS 14位流水线结构A/D转换器.测试结果显示:A/D转换器的DNL为0.8/-0.9 LSB,INL为3.1/-3.7 LSB,SNR为70.2 dB,SFDR为89.3 dB. 相似文献
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介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA。样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB。 相似文献
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介绍了采用双R-2R电阻网络结构实现12位电压输出型D/A转换器的设计及激光修调方案.重点分析了运放失调电压对双R-2R电阻网络结构D/A转换器线性误差的影响,并与其他常见的实现双极性电压输出的R-2R电阻网络结构进行比较,给出了理论估计和仿真结果.采用双R-2R电阻网络实现的12位D/A转换器芯片(不包括运放)在带CrSi电阻的8μm CMOS工艺上流片和修调测试.电阻网络芯片和运放芯片采用厚膜混合工艺组装,实现电压输出D/A转换器功能.测试结果显示,设计的电路达到了预期目标. 相似文献
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