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本文综述国外近几年来利用MBE(分子束外延法)生长MCT薄膜及其衬底膜的进展、优点、前景,供我们研究MCT材料的借鉴。 相似文献
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本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应尽早进行技术跟踪研究,8~14μm光谱范围探测器材料的研究重点仍应继续放在HgCdTe材料上。对于优质外延衬底材料CdZnTe的研究,应在现有基础上继续深入下去。 相似文献
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本文简要综述了液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物汽相外延(MOVPE)生长碲镉汞(MCT)单晶薄膜的工艺特点,存在的问题和发展趋势. 相似文献
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本文针对响应波长8~12μmMCT焦平面阵列探测器对MCT薄膜材料性能要求,分析了液相外延(LPE)和分子束外延(MBE)生长的MCT薄膜,究竟哪一种方法生长的薄膜能更好地满足焦平面阵列探测器的技术要求。根据LPE工艺的日趋成熟所暴露出来的缺点,MBE工艺的进展与理论上预示的优点在实验中得到了证实。两者相比较,它们相互易位,过去10多年把LPE作为生长MCT薄膜的主要方法,现在已转向以MBE(也包括MOCVD)作为今后生长MCT薄膜的主攻方向。 相似文献
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周茂树 《红外与毫米波学报》1986,5(5)
制备高性能HgCdTe多元列阵探测器,需要高质量的晶体材料。本文介绍了目前已有的HgCdTe薄膜外延生长工艺,比较了液相外延(LPE)、分子束外延(MBE)、有机金属化学汽相淀积(MOCVD)、激光蒸发淀积(LADA)等HgCdTe薄膜外延生长工艺的优缺点,着重 相似文献
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已制成截止波长16/μm具有接近理想热离子发射的暗电流特性的Ge_xSi_(1-x)/Si异质结內光发射红外探测器。由截止波长9.3μm的Ge_(0.44)、Si_(0.56)/Si探测器和单片CCD读出电路组成的400×400元焦平面阵列,在长波红外波段进行了成象演示,不经均匀性校正取得了高质量图象。 相似文献