30 V UMOS中影响导通电阻平坦度的因素分析

功率MOSFET作为开关器件时,导通电阻的平坦度是衡量其性能的重要参数。研究影响导通电阻平坦度的因素,并对其进行优化,有助于改善器件的性能。低压UMOS中,沟道电阻是导通电阻的主要部分。文章以沟道电阻为分析对象,利用公式分析影响因素,通过Sentaurus TCAD仿真验证了导通电阻平坦度的变化趋势。通过改变P型基区离子注入剂量和栅氧层厚度进行仿真。仿真结果表明,通过减小栅氧层厚度和减少P型基区注入剂量,可获得较好的导通电阻平坦度。     

一种脉冲功率微波限幅器的设计

在限幅器最大输入功率理论分析基础上,根据PIN限幅二极管产品手册上最大连续波输入功率和给定脉宽下最大脉冲输入功率等条件,求解得到温度时间常数及任意脉宽下最大脉冲输入功率,给出了分析模型及计算公式。研制了实验验证电路,在频率1GHz、脉宽25μs、占空比1%条件下,最大脉冲输入功率43W,与理论分析相符。     

基于KPCA-GA-BP神经网络的POI质量预测研究

目前移动网络优化一般基于小区进行网络质量评估及预测，遵循“升维研究，降维实施”的研究思路，提出了兴趣点（point of interest,POI）网络质量的柔性评价体系，但其涉及较多网络关键绩效指标（key performanceindicator,KPI），导致POI网络综合质量评价体系较为庞杂且预测精度不高，为提高POI网络质量预测精准性，采用核主成分分析（kernelprincipalcomponentanalysis,KPCA）算法对反向传播（back propagation,BP）神经网络的输入变量进行相关性压缩，简化了BP神经网络结构，然后通过遗传算法（genetic algorithm,GA）优化了BP神经网络连接权值及阈值参数。与传统BP神经网络预测结果进行对比，在预测准确度方面提高了10.90%，均方误差性能显著降低，对研究POI网络质量的预测可起到较好的支撑作用。