多壁碳纳米管修饰碳糊电极测定爽肤水中甲硝唑

研究甲硝唑在多壁碳纳米管修饰碳糊电极上的电化学行为,建立多壁碳纳米管修饰碳糊电极测定爽肤水中甲硝唑的方法。在pH 1.84的BR缓冲溶液中,以经过1 mg/mL多壁碳纳米管修饰的碳糊电极为工作电极,采用循环伏安法扫描试样溶液,记录扫描图谱的峰电位和峰电流。甲硝唑于–0.4 V处有明显的还原峰,其峰电流与甲硝唑的浓度在10～500μmol/L范围内具有良好的线性关系,相关系数为0.999 2,检出限为0.132μmol/L。实际样品加标回收率为98.8%～102.4%,测定结果的相对标准偏差为1.3%～2.3%(n=5)。甲硝唑在多壁碳纳米管修饰碳糊电极上有良好的响应,电极选择性好、灵敏度高;该方法简便、经济,可应用于化妆品、药品中甲硝唑的测定。     

1989年IEEE GaAs集成电路年会概况

<正>1989年IEEE GaAs集成电路年会于1989年10月22日至10月25日在美国加里福尼亚州圣迭戈(San Diego)市的港湾岛谢拉顿饭店召开,来自各国的代表共722人参加了会议.美国和日本的代表占大多数.会上共发表论文77篇,其中有4篇特邀报告.论文分以下几部分进行报导:1.GaAs数字大规模集成电路8篇,2.GaAs MMIC的新进展8篇,3.高性能开关     

H-值半鞅测度的弱收敛

本文引进了H-值半鞅测度，研究了其基本性质和与之相联系的随机积分，本文还引入了H-值半鞅测度序列依分布弱收敛的概念，建立了H-值半鞅测度的极限定理，给出了H-值半鞅测度弱收敛的条件。     

基于q-理论的家族企业动态模型

本文在不完全市场下,基于托宾q-理论,以最大化企业家的CRRA期望效用为目标,在假设企业资本和生产力均随机的条件下,研究家族企业的动态优化问题,即家族企业在动态经营过程中的生产、消费和投资组合的最优决策问题.利用动态规划原理推导出企业最优决策所满足的HJB方程,并通过企业适用的生产消费均衡理论和风险对冲需求对此HJB方程进行求解,得到家族企业的最优生产、最优消费和最优投资策略.最后选取合适参数对家族企业的最优策略进行数值分析,结果表明了企业的最优策略与其流动性之间的变化关系.     

亚微米栅GaAs MESFET物理特性研究

本文基于对过冲效应的分析、计算,说明了亚微米栅GaAs MESFET的特性。建立了简明的考虑了过冲的漂移速度模型,并结合求解泊松方程、电流连续性方程进行了器件的二维计算机模拟。得到的结果与实际接近。     

多孔硅场致发射特性研究

目前真空微电子使用的场致发射电子源主要是在硅衬底上采用腐蚀法和生长法得到的场发射阵列。这种方法在制造上难度较大，也很复杂。本文介绍用阳极化的方法制造多孔硅场发射阵列，并通过实验测定，用此法制造的场发射尖端阵列的发射曲此，很好地符合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ公式。     

自旋极化电子物理的进展和应用

本文较详细地介绍了自旋极化电子物理近年来的发展，特别是介绍在获得自旋极化电子源方面所取得的成就以及与其相关的物理效应，最后简要介绍自旋极化电子束在现代科学中的应用．     

Ripening of single-layer InGaAs islands on GaAs（001）

The present paper discusses our investigation of InGaAs surface morphology annealed for different lengths of time.After annealing for 15 min,the ripening of InGaAs islands is completed.The real space scanning tunneling microscopy(STM) images show the evolution of InGaAs surface morphology.A half-terrace diffusion theoretical model based on thermodynamic theory is proposed to estimate the annealing time for obtaining flat morphology.The annealing time calculated by the proposed theory is in agreement with the experimental results.     

An application of half-terrace model to surface ripening of non-bulk GaAs layers

In order to predict the actual quantity of non-bulk GaAs layers after long-time homoepitaxy on GaAs （001） by theo- retical calculation, a half-terrace diffusion model based on thermodynamics is used to calculate the ripening time of GaAs layers to form a fiat morphology in annealing. To verify the accuracy of the calculation, real space scanning tunneling microscopy images of GaAs surface after different annealing times are obtained and the roughness of the GaAs surface is measured. The results suggest that the half terrace model is an accurate method with a relative error of about 4.1%.     

Sc12X（X=C、Si、Ge、Sn、Pb）团簇的几何构形和电子结构研究

基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似(GGA)研究二十面体Sc12X(X=C、Si、Ge、Sn、Pb)团簇的几何构形和电子结构,系统计算了它们的束缚能(BE)、最高占据轨道(HOMO)与最低未占据轨道(LUMO)之间的能隙(ΔE)、局域磁矩( )及团簇的平均键长( )。研究表明,用C、Si、Ge、Sn、Pb分别替代Sc13团簇中心或表面原子可以使其成为更稳定结构(除Sc12Pb外)。掺杂团簇Sc12X中,当杂质原子X比Sc原子的原子量大很多时,具有C5V对称性的构形比具有Ih对称性的构形更稳定;当杂质原子X比Sc原子的原子量小时,具有对称Ih对称性的构形比具有C5V对称性的构形更稳定(除Sc12C团簇外)。Sc12C团簇的稳定性出现异常,其原因与轨道杂化有关。