CdSSe玻璃的光学增益

本文使用放大的自发辐射技术(ASE)测量了CdSSe玻璃(国产JB 510)的光学增益.在波长λ=625nm处,测得增益系数g≈8cm-1.增益出现的波长范围对应样品荧光光谱中陷阱能级的宽带.一个简单的三能级模型,辅之以陷阱能级发光的衰减测量,定性地解释了增益出现的原因.     

CdSSe掺杂玻璃中的光致暗变效应研究

本文用DFWM和荧光光谱方法研究了光致暗变效应对CdSSe掺杂玻璃光学性质的影响,解释了经过强光照射的样品,DFWM反射率,荧光强度和透射率降低的原因.     

高灵敏度互阻抗InGaAs/InP单片PIN场效应晶体管集成电路

演示了高灵敏度长波 InGaAs/InP 单片PIN 场效应晶体管光电子集成电路(OEIC)接收器。该光电子单片集成电路采用倒相放大器,用离子注入技术和 MOVPE 生长的晶体制成。当波长为1.3μm时,该光电子单片集成电路在622Mb/s、1.2Gb/s 和2Gb/s 的灵敏度分别为—33.6、—26.5和—24.3dBm。使用同样技术,还设计并制出可用—5伏单电源运转的光电子集成电路。其灵敏度在622Mb/s 为—32dBm,动态范围22dB。噪声测量显示,噪声来源于第一个场效应管后面的回路以及反馈电阻中的热噪声。测量还表明,为获得极高灵敏度必须减小结型场效应管的栅噪声。     

CdSSe玻璃在环形腔中的自振荡

两表面镀有高反射膜,自身形成F-P腔的CdSSe玻璃薄片置于环形腔中.在一定的输入光强参数下,反射光信号出现其有某种规律性的振荡.实验观测了作为输入光强函数的不同振荡模式.由于所用样品的光双稳回线宽阔,上下两支有较大的倾斜度,我们观察到较大数目的输出强度上升与下降台阶.简单的绝热模拟表明,自振荡的模式遵从Farey-tree结构.     

双层介电系统的Raman散射——ZnSe/玻璃和ZnSe/GaAs的表面声子模

本文实验观测了双层介电系统ZnSe/玻璃和ZnSe/GaAs的表面声子模,并利用极化场边界条件对上述体系的表面声子频率进行了计算。实验结果与计算结果符合得比较满意。     

用非相干光时间延迟四波混频测量TiO_2超微粒子的扩散系数及载流子复合时间

本文报导了用非相干光时间延迟四波混频方法测得Ti_2O超微粒子的扩散系数和载流子复合时间分别为0.016cm~2/s和1.08ns.两个光栅衰减时间分别是1.07ns和0.56ns.讨论了引起两个光橱衰减时间不同的原因.     

玻璃介质中CdSxSe1-x微晶的表面声子模

通过玻璃介质中的CdSxSe1-x微品的Raman散射,详细观测了表面声子模。表面声子的散射强度随微晶颗粒变小而增强;其Raman频移与微晶尺寸无关。表面声子峰在反Stokes线中同样存在。实验结果与理论计算结果相符合。     

半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究

室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.     

准零维CdS_xSe_(1-x)微晶材料的光学性质

通过玻璃基体中CdS_xSc_(1-x)微晶的光谱测量,看到了CdS_xSe_(1-x)微晶的带隙随尺寸变小而变宽,表现出明显的量子尺寸效应。同时,详细观测了玻璃基体对微晶的压力影响,结果表明这种材料中的压力是不可忽略的。