多孔硅/PVK复合体系的光电性能

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合,并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能.实验结果表明:热处理有利于复合体系发光强度的提高;而且当热处理温度不超过120℃,随着热处理温度的升高器件的整流效应增大.同时,复合体系还实现了电致发光,产生了555nm的电致发光峰.     

多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性

用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅／PVK、多孔氧化铝／PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅／PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。     

多孔硅/PVK复合体系的光电性能

用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合，并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能．实验结果表明：热处理有利于复合体系发光强度的提高；而且当热处理温度不超过120℃，随着热处理温度的升高器件的整流效应增大．同时，复合体系还实现了电致发光，产生了555nm的电致发光峰．     

多孔硅与有机发光材料复合的光电特性

用旋涂法实现了多孔硅(PS)与有机发光材料聚乙烯咔唑(PVK)和八羟基喹啉(Alq3)的复合，研究了PS／(PVK，Alq3)复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现，PS／PVK复合体系的PL同时具有PS和PVK的峰；在485nm的位置出现了1个新峰，讨论了这个峰的来源。研究了n型单晶Si制备的PS与PVK复合(n-PS／p-PVK)和P型单晶Si制备的Alq3复合(p-PS／n-Alq3)后的}y特性。测试表明，这两个复合体系的I-V曲线都显示了良好的整流特性。结果表明，PS／(PVK，Alq3)复合体系适合用来制备PS基的发光二极管。最后借助无机半导体的能带理论对此进行了分析。