微型电光探针的研制

介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针.用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌.微探针为金字塔形,底座是边长为20μm的正方形,尖端尺寸在2μm左右.侧面比较光滑,棱角分明.微型电光探针整体尺寸很小,在外电光检测系统中可以显著降低对被测电场的影响,从而提高测量精度.     

微型电光探针的研制

介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针.用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌.微探针为金字塔形,底座是边长为20μm的正方形,尖端尺寸在2μm左右.侧面比较光滑,棱角分明.微型电光探针整体尺寸很小,在外电光检测系统中可以显著降低对被测电场的影响,从而提高测量精度.     

ASIP处理器的可重定位编译器的设计

可重定位的编译器对特定应用的指令集处理器ASIP(ApplicationSpecificInstructionProcessor)的设计至关重要。文章利用开源的ORC(OpenResearchCompiler)编译器框架,以提出的一种ASIP处理器的结构模型为目标,进行了其可重定位的编译器的设计。并在指令调度和寄存器分配阶段针对这种ASIP处理器的结构做了优化。实验结果表明,编译器具有很好的可重定位性,指令调度和寄存器分配的优化也获得了较好的效果。     

Al-Si肖特基势垒诱导的光整流与双光子响应机制

通过观测硅光电二极管的双光子响应和Al/Si肖特基势垒处的光生电压的各向异性,从实验和理论两个方面证实了肖特基势垒所产生的内建电场在硅光电探测器中诱发光整流现象,从而推论硅光电二极管的双光子响应机制中必然存在相位失配的倍频吸收.如果内建电场足够强,倍频吸收将成为双光子响应的主要机制.这与传统的认为双光子响应就是双光子吸收的观点不同.     

多模无线基站技术研究

智能互联设备对于数据和视频的海量增长需求不断推动了移动宽带业务的高速发展;运营商为避免资源重复建设,合理利用有限的传输设备和基站资源的需求使多模基站成为无线基站发展的趋势。本文提出了基于统一支撑平台的虚拟化无线多模基站的软件架构,通过对公共资源的统一管理和各种制式业务的虚拟化隔离,实现了统一硬件平台上各种无线制式业务应用的统一。     

亚微米外部电光检测技术

将固浸透镜技术与电光检测技术相结合，建立了具有亚微米空间分辨率的外部电光检测系统，通过使用GaAs半球作外部电光探头，用数值孔径为0.3的显微物镜对波长为1.3μm的探测光束进行聚焦，得到了半峰全宽直径为0.7μm的聚焦光斑，成功测量了微带线上10kHz的正弦波信号，验证了系统的线性响应特性，并得到了6mV/√Hz的电压灵敏度。     

真空下气-固界面热适应系数的数值计算

根据热适应系数的理论研究成果,结合国外学者的部分实验数据,对气-固界面热适应系数的主要影响因素进行定性的讨论;同时在S.Song和M.M.Yovannovich的公式基础上,最小二乘法拟合国外学者低温下实验测量的热适应系数,采用C语言编程算出拟合公式中的参数,分析拟合公式α=aFM/(b+M)+2.4μ(1-F)/(1+μ)2,F=exp(c(T-T0)/T0)中的参数a,b,c的特性;数值计算迭代收敛和拟合公式的计算误差在±20%以内表明:数值拟合公式可用在工程上计算热适应系数,S.Song和M.M.Yovannovich的公式可数值拟合低温下不同气-固界面的热适应系数的计算公式。     

Al-Si肖特基势垒诱导的光整流与双光子响应机制

通过观测硅光电二极管的双光子响应和Al/Si肖特基势垒处的光生电压的各向异性,从实验和理论两个方面证实了肖特基势垒所产生的内建电场在硅光电探测器中诱发光整流现象,从而推论硅光电二极管的双光子响应机制中必然存在相位失配的倍频吸收.如果内建电场足够强,倍频吸收将成为双光子响应的主要机制.这与传统的认为双光子响应就是双光子吸收的观点不同.     

阻燃型高真空多层绝热材料性能的实验研究

通过实验研究了用于低温储液罐的阻燃型高真空多层材料的绝热性能,得出了该材料的比热流与层数的关系和工程应用时的最佳层数。结合实验数据进行传热分析,表明:玻璃纤维纸和铝箔构成的高真空多层材料中固体导热和层间残余气体导热占主要部分,绝热性能还有改善空间;绝热层瞬态比热流随大气压力和环境温度的变化而成余弦曲线变化;绝热层有蓄热能力。     

硅光电二极管的双光子响应

报道用连续光1.3μmInGaAsP半导体激光器探测硅光电二极管中的双光子响应(我们把倍频效应和双光子吸收统称为双光子响应).通过实验,证明在硅光电二极管中必然有倍频吸收引起的光电流存在.