全文获取类型
收费全文 | 145篇 |
免费 | 27篇 |
国内免费 | 26篇 |
专业分类
化学 | 71篇 |
晶体学 | 8篇 |
力学 | 3篇 |
数学 | 9篇 |
物理学 | 36篇 |
无线电 | 71篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 5篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 5篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 8篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 5篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 13篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 6篇 |
2006年 | 13篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 6篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 9篇 |
1996年 | 5篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 5篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
排序方式: 共有198条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
在数字传输系统再生电路中,数据再定时具有静态和动态的定时不确定性,它导致系统性能的严重损害。再生时钟相对于数据的失准通常是由抖动和电路传播时延的变化而引起的,在甚高速传输系统中,这样的定时不确定性可能存在于数据比特周期的有效部分。将导致不合格的电路性能。 相似文献
3.
4.
利用分子束技术改变甲烷的平动能E_k来研究E_k及其法向分量E_n对甲烷在Ni表面及La薄膜上激活解离吸附的影响。对CH_4/Ni及CH_4/La系统, 当甲烷的平动能E_k分别低于58.5 kJ·mol~(-1)及52.3 kJ·mol~(-1)时, 没观察到甲烷的解离吸附。当甲烷的平动能超过此阈值时, 即对CH_4/Ni系统, 当Ek=58.5增至63.8 kJ·mol~(-1)时, 初始沾着几率s_0由0至0.54线性增加; 对CH_4/La系统, 当E_k=52.3增至63.8 kJ·mol~(-1)时, S_0由0至0.49线性增加。这些结果表明, 两个系统的化学吸附是不经过前趋态的直接化学吸附。最后求出CH_4/Ni, CH_4/La系统的表观活化能分别为46.8 kJ·mol~(-1)和38.1 kJ·mol~(-1)。 相似文献
5.
6.
7.
8.
直链淀粉手性固定相对8种外消旋硫代缩水甘油醚的直接拆分 总被引:11,自引:0,他引:11
利用高效液相色谱进行不对称拆分是十分有效的方法,其中多糖类手性固定相是非常重要的一种,它主要包括纤维素和淀粉两大类,Okamoto等[1~3]合成了大量的纤维素和直链淀粉的衍生物,并将其涂敷在大孔硅胶表面,从而制备了手性拆分能力较强的多种固定相,这类... 相似文献
9.
通过Chapman-Enskog展开技术和多尺度分析,建立了一种新的D1Q4带修正项的四阶格子Boltzmann模型,一类非线性偏微分方程从连续的Boltzmann方程得到正确恢复.统一了KdV和Burgers等已知方程类型的格子BGK模型,还首次给出了组合KdV-Burgers,广义Burgers—Huxley等方程... 相似文献
10.
Preparation of Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells by Selenization of Metallic Precursors in an Ar Atmosphere 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Cu(In, Ga)Se2 thin films are deposited on Mo-coated glass substrates by Se vapour selenization of sputtered metallic precursors in the atmosphere of Ar gas flow under a pressure of about 10 Pa. The in situ heat treatment of as-grown precursor leads to the formation of a better alloy. During selenization, the growth of CuInSe2 phase preferably proceeds through Se-poor phases as CuSe and InSe at relatively low substrate temperature of 250℃, due to the absence of In2Se3 at intermediate stage at low reactor pressure. Subsequently, the Cu(In,Ga)Se2 phase is produced by the reactive diffusion of CuInSe2 with a Se-poor GaSe phase at high temperature of up to 560℃. The final film exhibits smooth surface and large grain size. The absorber is used to fabricate a glass/Mo/Cu(In, Ga)Se2/CdS/ZnO cell with the total-area efficiency of about 7%. The low open-circuit voltage value of the cell fabricated should result from the nonuniform distribution of In and Ga in the absorber, due to the diffusion-controlled reaction during the phase formation. The films, as well as devices, are characterized. 相似文献