楔形体破坏模式下红层边坡岩体质量SMR法评价

简要介绍了边坡岩体质量分类的SMR法,将之应用于2个典型楔形体破坏模式下红层岩体高边坡稳定性宏观评价。 指出在评价过程中要注意对边坡起控制作用的优势结构面,并将其作为SMR法中结构面项评分的主要依据,这样得出的评分 值与边坡的实际情况才会比较相符。对地应力的影响进行了定性的分析,指出高地应力地区边坡SMR法应该慎用。     

半导体器件工艺中热电偶可靠性测温

本文介绍了半导体器件工艺中利用热电偶测温的原理、性能以及如何对热电偶误差进行修正补偿。     

反铁电体电子发射性能的研究

进行了锆钛酸铅反铁电体和铁电体的电子发射对比实验,研究了抽取电压、电极绝缘保护层和相变特性等对反铁电体电子发射性能的影响.通过涂覆绝缘保护层,大幅提高了表面击穿阈值,从而提高了施加场强;通过施加抽取电压,提高了发射电流密度.两种方式均使电流发射密度得到提高,最高达到153 A/cm2.利用相变理论,得到反铁电体相变时的强扩散和表面的半导性使局部或表面相变温度下降, 相变温度的下降有助于电子发射,合理解释了观察到的反铁电体中发射电流密度比铁电体更高和电子发射起始阈值更低的现象.     

磁光盘定位技术与盘毂安装

讨论了磁光盘在驱动器中的夹持定位技术物为实施磁夹技术需要的秀毂安装技术。详细论述了盘毂超声波焊接原理，通过模式识别寻找盘片中心及盘毂中心的技术，最后通过动态径向偏摆摆测试说明磁夹持满足定位精度要求，超声波焊接满足盘毂安装的产业化要求。     

提高PZT阴极电子发射性能的实验研究

实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能.在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因.通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴极的体击穿特性和通过Mn2+的添加提高材料本生的耐电压强度,从而提高了施加在阴极上的激励场强值.实验数据显示等静压工艺、高的激励场强、绝缘保护层、Mn2+的添加等均有利于阴极的电流发射,发射电流密度提高到123 A/cm2.     

铁电阴极电子发射的动态特性分析

主要研究了铁电阴极电子发射的动态特性,通过对收集到的激励电压和发射电流波形进行幅频特性和相频特性分析,得到电子发射的敏感频率区域为0.65～2 MHz.运用电子发射的极化反转机理,在以上动态特性分析结果的基础上,研究电子发射与极化之间存在的关系,得出转向极化对电子发射的贡献大,热离子极化对电子发射贡献小的结论.在以上结果基础上提出提高电子发射的两种途径:一是通过掺杂增加自由离子浓度,以提高热离子极化,从而提高电子发射;二是改进激励源的设计,使输出电压的频谱包含更多对电子发射频率敏感的成分.     

电致伸缩与PLZT电子发射频率特性的关系

研究了PLZT阴极中电致伸缩效应对电子发射频率的影响.采用等静压工艺制备了PLZT阴极样品,并在阴极上施加高达11 kV的激励脉冲,观察到电子发射波形周期性地出现多个峰值.对收集到的电子发射波形进行频谱分析,得到主要频率成分在5.8 MHz左右,与根据压电声表面波理论计算出的表面振动基频为6.2 MHz接近.基于以上实验结果和计算结果,结合目前铁电电子发射的快极化反转和表面等离子体理论,可得出压电表面振动对电子发射波形进行了频率调制,合理解释了电子发射波形周期性出现多个峰值的现象.     

多级多层复合滑坡工程病害的试验研究

张家坪滑坡具有多级多层的复杂滑体结构,本文选取最典型的断面开展了大型地质力学模型试验,模拟了边坡的开挖过程,并采用均匀毛细浸润技术研究雨水作用下的坡体稳定性,通过有无支挡的两阶段试验对比,分析了多级多层复合滑坡的变形失稳机制和工程病害,以及相应抗滑支挡结构的加固效果。     

三种红层岩石常规三轴压缩下的强度与变形特性研究

利用MTS815Teststar程控伺服岩石力学试验系统研究了川东地区一红层边坡中的砂岩、粉砂岩和泥岩围压为0³MPa的应力-应变全过程曲线,建立了峰值强度、峰值强度前弹性模量以及峰值强度后的弹性模量和围压的关系。将低围压下红层的全应力-应变曲线概化成5个阶段,分别为压密段、弹性段、屈服段、应变软化段和塑性流动阶段。试验结果得出,红层弹性模量随围压的增加而提高且变化明显,砂岩和粉砂岩在此围压内为脆性破坏,泥岩为塑性破坏的规律。     

铁电阴极低真空电子发射性能的分析

采用锆钛酸铅(PZT)铁电阴极,在高真空4×10-3 Pa和低真空1.4 Pa条件下分别进行了电子发射实验.对收集电流波形进行积分,计算出收集电荷,低真空与高真空的电荷比值为0.193 3,说明低真空条件下发射出的电子损失较大.运用分子运动理论和等离子体放电理论对发射电子损失的原因进行了分析.通过分子运动理论计算了分子碰撞对到达收集极的电子数目的影响,得到的低真空与高真空的电子到达几率分别为89.58%和99.97%,二者的比值为0.896 1.该数值与通过实验收集电流波形计算出的到达电子比值相差很大.考虑低真空下等离子体的作用,发射电子除了与气体分子碰撞有部分损失外,还有通过等离子体和栅电极形成的对地放电损失.由等离子体放电理论计算出等离子体覆盖栅电极时间为23.8 ns,与低真空的收集电流振荡周期20 ns非常接近,是低真空下等离子体放电损失的有力证明.