排序方式: 共有11条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
设计了一种用于大功率音频功放的高稳定性低压差线性稳压器(LDO),对其电路结构和工作原理进行了分析,重点讨论了上电预充模块、环路稳定性及电源抑制能力。采用0.18μm 1P4M BCDMOS工艺,不同工艺角下,Cadence Spectre仿真表明,LDO的温度系数小于47.45 ppm/℃,瞬态响应最大变化量为50 mV,电源抑制大于71 dB@1 kHz,工作电压范围5 V~24 V,输出电压值为3.3 V;tt(渡越时间)模型下,工作电压为18 V 时,对大功率音频功放进行系统仿真,LDO 表现出约为30μs的启动时间,其输出电压值能很好地跟踪负载电流的变化。 相似文献
4.
针对某型号高压电连接器在电压冲击试验中的失效现象,进行失效分析.分析手段包括X 射线检查、内部检查和金相分析等.检测发现该元件存在多芯导线压接损伤、剥线损伤等缺陷.根据该高压电连接器的失效模式和各项检测结果,分析得出了其失效机理.最后,在元件设计、工艺控制、质量监控方面提出了改进建议.建议实施后该元件通过了各项检测,质量可靠性得到了提升. 相似文献
5.
设计了一种宽电源电压的高精度带隙基准电路.在综合考虑精度、电源抑制比(PSRR)、宽电源电压要求和功耗等因素的基础上,采用了一种由基准电压偏置的,增益和电源抑制比大小相近的运算放大器解决方案.设计采用CSMC 0.5μm CMOS工艺,电源为3.3V. Cadence Spectre 仿真表明,当温度在 -40 ℃~125 ℃,电源电压在2.56V~8V时,输出基准电压平均值为1.290V,变化0.793mV,有效温度系数为3.72ppm/ ℃;室温下,在低频时具有-97dB的PSRR,在100kHz时为-69dB,功耗为180μW. 相似文献
6.
7.
8.
针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV~2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。 相似文献
9.
通过对电子元器件破坏性物理分析(DPA)试验中发现的混合电路中塑封器件检查、X射线检查密封宽度判据、剪切强度判据和半导体二极管芯片目检等问题进行分析、探讨,加强对DPA试验评价电子元器件固有可靠性机理的认识,以实现恰当、灵活运用标准开展DPA工作。 相似文献
10.