一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25 μm N阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明:当温度在-25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12.10~(-6)/℃、。在3.3 V电源电压下的功耗为3.8 mW,属于低温漂、低功耗的基准电压源。     

Pt/Al2O3整体催化剂上选择性氧化脱除甲醇重整氢源中CO --副反应对CO脱除效果的影响分析

移动甲醇重整制氢是质子交换膜燃料电池（PEMFC）可行的供氢方式之一,包括水蒸气重整、部分氧化重整和自热重整。甲醇重整制氢方法不同,重整气体积组成在H245％～75％,CO215％～25％,CO1％～10％,H2O10％～20％和N20—20％变化。重整气进入PEMFC之前要经过CO水蒸气变换反应（如果采用水蒸气重整,不需要变换过程）,     

切换式调谐CMOS 压控振荡器

在现有的CMOS RF工艺条件下。利用“切换式调谐”设计思想完成了宽带调谐的压控振荡器(vco)的电路设计和版图设计。用Candence SpectreRF软件进行了模拟。结果表明。该VCO在保证其它性能指标的同时，实现了宽的频率覆盖。     

一种基于开关电容调谐的宽带压控振荡器设计

设计了一种频率可调范围约600 MHz的全集成CMOS LC宽带压控振荡器.该压控振荡器工作电压为3.3 V,基于Chartered 0.25 μm 标准CMOS工艺设计,利用开关电容调谐的方法扩大其调谐范围.测试结果表明:该压控振荡器工作在中心频率为1.9 GHz时,单边带相位噪声为-85 dBc/10 kHz,调谐范围达到32%.