一种高精度6位数控移相器研制

采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2～6.5 GHz高精度6位数控移相器.为了达到较小的插入损耗和较小的版图面积,采用桥T型高/低通滤波器拓扑结构对5.625°移相器单元进行设计.采用开关切换全通滤波拓扑结构对11.25°、22.5°、45°、90°、1...     

2′-甲基丙烯酰氧基-3α-甲基丙烯酰基胆酸乙酯固化动力学研究

根据文献合成了含有两个双键的胆酸衍生物—2′-甲基丙烯酰氧基-3α-甲基丙烯酰基胆酸乙酯(CAGE2MA),采用非等温DSC法和等温DSC法研究其固化反应。采用Kissinger法处理非等温DSC数据得到动力学数据:Ea=90.16kJ/mol、lnA=21.97和n=0.936。通过积分等转化率法及自催化动力学模型分别处理等温固化DSC数据,前者表明随着反应的进行,Ea和lnA值逐渐减小;后者表明固化温度越高,自催化曲线与实验数据拟合得越好,在高转化率阶段,实验数据与拟合曲线出现偏差。     

17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器的设计

采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一款17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）结构。测试结果表明,在17～21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B,均方根相位误差（RMS）值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间,电压驻波比（VSWR）小于1.5。