掺Zn对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体高场特性的影响

本文研究了掺Zn对YBa_2Cu_3O_(7-δ)烧结样品高场下超导电性的影响.根据磁测量结果,利用 Bean 模型计算临界电流密度 J_c 和磁通钉扎力 F_p 的结果表明:随着 Zn 含量的增加,J_c 随外场增大而下降的速率增大,F_p 也显著下降.而且,对于某些样品,F_p 随外磁场变化出现一个极大值.     

圆锥曲线焦点的几何定位法

近年来《数学通报》多次发表文章介绍圆锥曲线切线的几何作图法,这些作法大致可分为两大类:第一类是“已知圆锥曲线及其焦点作切线”(见文[1]、[2]);第二类是“只知圆锥曲线作其上某点处的切线”(见文[3])。易见这两类作     

相位量化DRFM性能分析

本文提出了一种数字射频存储器(DRFM)偏移相位量化方法,它是在传统相位量化方法的基础上通过增加一个相位偏移而得到.通过傅立叶分析,得到了其谐波寄生信号性能计算公式,结果表明,其性能与传统相位量化方法相同.其优点是,由于其良好的对称性,更适合于硬件电路实现.在此基础上,提出了一种用D/A变换器代替加权求和网络实现相位量化DRFM信号重构的新方法,解决了多位相位量化DRFM工程实现的困难.采用计算机仿真方法对由于D/A变换幅度量化引起的性能变化进行了分析,表明当D/A变换器位数接近于相位量化位数时就可以获得满意的效果.     

钙钛矿相界面插层对SrFeOx基忆阻器的性能提升

SrFeO_x(SFO)是一种能在SrFeO_2.5钙铁石(BM)相和SrFeO₃钙钛矿(PV)相之间发生可逆拓扑相变的材料.这种相变能显著改变电导却维持晶格框架不变,使SFO成为一种可靠的阻变材料.目前大部分SFO基忆阻器使用单层BM-SFO作为阻变功能层,这种器件一般表现出突变型阻变行为,因而其应用被局限于两态存储.对于神经形态计算等应用,单层BM-SFO忆阻器存在阻态数少、阻值波动大等问题.为解决这些问题,本研究设计出BM-SFO/PV-SFO双层忆阻器,其中PV-SFO层为富氧界面插层,可在导电细丝形成过程中提供大量氧离子并在断裂过程中回收氧离子,使导电细丝的几何尺寸(如直径)在更大范围内可调,从而获得更多、更连续且稳定的阻态,可用于模拟长时程增强和抑制等突触行为.基于该器件仿真构建了全连接神经网络(ANN),在手写体数字光学识别(ORHD)数据集进行在线训练后获得了86.3%的识别准确率,相比于单层忆阻器基ANN的准确率提升69.3%.本研究为SFO基忆阻器性能调控提供了一种新方法,并展示了它们作为人工突触器件在神...     

基于Ti3C2-MXene的太阳能界面水汽转换

水资源匮乏是现代化发展中面临的全球性问题,太阳能界面水汽转换(Interfacial Solar Steam Generation,ISSG)是一种高效、绿色、低成本进行海水淡化和废水处理的方法.ISSG使用绿色的太阳能作为热源,通过光热转换并将热限制在水气界面上以高效产生蒸气,然后经过冷凝收集获得清洁水.设计和构筑具...     

采用DDS技术的多普勒频率模拟器

介绍了一种采用直接数字合成（ＤＯＳ）技术的雷达目标多普勒频率模拟器。通过数字控制，该模拟器可以在中频上相参地产生分辨率为０．０１２Ｈｚ的多普勒频率信号（ｆｄ＝０￣５５ｋＨｚ）。该模拟器采用±５Ｖ电源，功耗仅３．５Ｗ。     

贵州织金新华含稀土磷矿床的电子探针研究

位于贵州织金县的新华磷矿是一个超大型磷、稀土综合矿床。已探明磷矿石储量13.148亿吨，稀土氧化物储量144.16万吨。至今稀土元素未找到一条效益理想的综合利用途径。     

Poisson方程的四阶精度差分格式

其中Ω为R~n(n≥2)中的有界开区域,?Ω为其边界,△为通常的Laplace算子,f,g,?Ω充分光滑(光滑度的要求见§3)。 本文旨在求(1.1)四阶精度即离散误差为O(h~4)的数值解。关于这个问题,J.H.Bramble和B.E.Hubbard证明了,当空间维数n≤4时,差分方程     

HIGH ORDER DIFFERENCE METHODS FOR THE BIHARMONIC EQUATION

In this paper, instead of the usual 13-point formula, a new 21-point formula for the numerical solution of the first biharmonic Dirichlet problem is presented. According to the two kinds of the fictitious mesh point interpolation, it is shown that the error is O(h~(3.5)) and O(h~4) respectively in a norm which is stronger than the maximum norm for the error function.     

Sr-doping effects on conductivity,charge transport,and ferroelectricity of Ba_(0.7)La_(0.3)TiO_3 epitaxial thin films

Sr-doped Ba_0.7La_0.3TiO₃(BSLTO)thin films are deposited by pulsed laser deposition,and their microstructure,conductivity,carrier transport mechanism,and ferroelectricity are systematically investigated.The x-ray diffraction measurements demonstrate that Sr-doping reduces the lattice constant of BSLTO thin films,resulting in the enhanced phonon energy in the films as evidenced by the Raman measurements.Resistivity-temperature and Hall effect measurements demonstrate that Sr can gradually reduce electrical resistivity while the electron concentration remains almost unchanged at high temperatures.For the films with semiconducting behavior,the charge transport model transforms from variable range hopping to small polaron hopping as the measurement temperature increases.The metalic conductive behaviors in the films with Sr=0.30,0.40 conform to thermal phonon scattering mode.The difference in charge transport behavior dependent on the A-site cation doping,is clarified.It is revealed that the increasing of phonon energy by Sr doping is responsible for lower activation energy of small polaron hopping,higher carrier mobility,and lower electrical resistivity.Interestingly,the piezoelectric force microscopy(PFM)results demonstrate that all the BSLTO films can exhibit ferroelectricity,especially for the room temperature metallic conduction film with Sr=0.40.These results imply that Sr-doping could be a potential way to explore ferroelectric metal materials for other perovskite oxides.