低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应

本文研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质．我们测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质．对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较．     

高边模抑制比窄线宽的光纤光栅外腔半导体激光器

本文从耦合腔理论出发分析了光纤光栅外腔半导体激光器的模式选择,得到了为达到稳定的高主边模抑制比所需的短外腔、短光纤光栅的器件设计原则.制作了两只光纤光栅外腔半导体激光器,Q₁为短外腔(<2mm)、短光纤光栅(4mm)结构,Q₂为长外腔(20mm)、长光纤光栅(17mm)结构.测量Q₁的主边模抑制比为35dB,Q₂的主边模抑制比为10dB.     

光纤光栅作为外反馈的混合腔半导体激光器

利用一个一端镀有增透膜的Ｆ－Ｐ腔半导体激光器芯片和一段反射率为５０％的光纤光栅组合成一混合腔激光器，腔长约为２ｃｍ。在５０ｍＡ的偏置电流下，主边模抑制比为３７．６ｄＢ，出纤功率为１ｍＷ。并对这种结构的激光器进行了初步的理论分析     

用光纤光栅作外反馈的可调谐外腔半导体激光器

制作了一种以光纤光栅作为外反馈的半导体激光器。光纤光栅用紫外曝光法制作 ,反射率为 5 0 %。器件在5 0mA注入电流时 ,出纤功率高于 1mW ,主边模抑制比为 42dB。使用对光纤光栅施加应变和改变光栅温度的方法实现了输出激光波长的调谐 ,利用施加应变方法得到了 2nm范围的输出波长变化。     

双波长工作的光纤光栅外腔半导体激光器

本文利用多波长光纤布拉格光栅与端面镀有增透膜的半导体激光器管芯耦合形成外腔激光器。研究了不同光纤光栅布拉格波长间隔下,器件的工作性能。当光纤光栅波长间隔不同于管芯的FP腔模式间隔时,不能得到稳定的多波长输出。通过调整光纤栅的各个布拉格波长间隔,使之和半导体激光器FP模式间距相同时,得到了输出稳定的双波长激光。     

利用啁啾光纤光栅实现10Gb/s WDM系统色散补偿

利用二次曝光法制作的啁啾光纤光栅在国内首次邮１０Ｇｂ／ｓｅ ＷＤＭ系统单路色散补偿,经１８０ｋｍ传输后色散补偿的功率代价为１ｄＢ。     

用于10Gb／s WDM系统色散补偿的波长取样啁啾光纤光栅

研制出一种新型色散补偿光纤光栅--波长取样啁啾光纤光栅,它具有10个周期性为0.8nm的波长结构,每个周期的反射特性和色散特性都基本相同,其带宽为0.6nm、峰值反射率为90%、色散量为1300ps/nm、时延抖动小于50ps,光栅长度为10cm.利用此波长取样啁啾光纤光栅,在8×10Gb/s波分复用(WDM)系统中,进行了NRZ码140km标准单模光纤的色散补偿实验,补偿效果良好.     

用拉伸和二次曝光法制作基于莫阿光纤光栅的带通滤波器

我们利用一块均匀掩膜版,通过对光纤拉伸和二次紫外曝光的方法制作了一基于莫阿-布喇格光纤光栅的带通滤波器,其带通宽度为0.28nm.我们对这种方法制作的莫阿-布喇格光栅作了理论分析.在此文中,还给出了均匀光纤光栅的拉伸特性.