流延法制作AlN陶瓷基片工艺

研究出一种用流延法制作ＡＩＮ陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的ＡＩＮ基片。经１６５０℃，保温２ｈ无压烧结制得的基片，其热导率达１３０Ｗ／（ｍ·Ｋ）、密度为３．３４ｇ／ｃｍ￣３，表面光滑平整，瓷体结构均匀，性能达到用干压法制备的同类基片的性能。     

纳米碳管及相关材料的电性能

碳管是Ｃ原子按一定的排列方式形成一封闭的结构，构成有别于金刚石和石墨的Ｃ的第三种分子形式。１９９１年日本发现了碳管的一种形式——纳米碳管。这类材料具有特殊的力学、化学、磁学、电学等性能。笔者综述纳米碳管及相关材料的电学性能及应用前景，指出这类材料近期有望在复合材料中得到应用，而运用到电子工业尚需较长的时间     

低温烧结AlN陶瓷基片

通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。     

压电陶瓷的新极化工艺

本文介绍一种在谐振条件下对压电陶瓷材料进行极化的新工艺。对硬性、软性和三元系锆钛酸铅压电陶瓷材料分别进行了加高频信号、谐振信号和不加信号的极化试验。结果表明,采用加谐振信号的方法极化样品的机电耦合系数比用常规方法极化的样品有明显提高,而且在高压下极化不易击穿。     

锆钛酸钡陶瓷的超低温烧结及其介电特性

利用钛酸四丁酯、硝酸锆、氢氧化钡为原料在室温下,直接合成了颗粒尺寸均匀,组分连续可调的高性能锆钛酸钡纳米粉体.在此基础上,通过添加不同比例的Bi2O3和Li2CO3为助烧剂,实现了900℃下的陶瓷的超低温烧结.确立了烧结时间与陶瓷微观结构之间的相关性.研究表明,助烧剂的加入,可以使介电峰强烈地向低温方向移动,室温介电常数可大于5000以上.某些情况下使介电峰分裂,由单一峰变为明显的双峰,这样使得介电常数的温度稳定性得到提高.     

AlN基片流延浆料粘度的研究

通过对比实验研究了影响ＡｌＮ流延浆料粘度的主要因素。结果表明，环境温度或溶剂比例的增加，浆料的粘度值下降；而较小的粘度和增塑剂的减少则使粘度上升。严格控制各影响因素，对实现稳定流延工艺非常必要