CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

便携式无线通信中的陶瓷技术

重点讨论了现代无线通信中关键元器件之一滤波器的发展进程,中、高频及微波滤波器的主要类型及性能特点。低损耗、高介电常数陶瓷在RF和IF滤波器中的应用,能够实现无线设备的微型化。对制备滤波器的介质陶瓷材料的要求是:在所使用的波段内,相对介电常数r要大,可缩小介质元件的尺寸;品质因数Q要高,可获得良好的滤波特性及通讯质量;谐振频率的温度系数f接近于零或可调节,以达到整机电子回路的要求。     

掺杂稀土元素对细晶BaTiO_3系统耐压及介电性能的影响

研究了稀土元素Ho2O3和Er2O3掺杂BaTiO3基瓷料,其在BaTiO3系晶粒中可抑制晶粒生长,使晶粒尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率。本系统中三价稀土氧化物Ho2O3和Er2O3等物质同时加入到BaTiO3陶瓷中后,稀土氧化物没有全部进入晶格内部发生取代,其中的一部分与其他添加剂形成一些非铁电相,提高耐压;另一部分留在晶界处,成为晶粒抑制剂,使得晶粒细小,瓷体致密,提高陶瓷的耐压。     

掺杂稀土元素对细晶BaTiO3系统耐压及介电性能的影响

研究了稀土元素Ho2O3和Er2O3掺杂BaTiO2基瓷料，其在BaTiO2系品粒中可抑制晶粒生长，使晶粒尺寸变小，体密度增高，呈现细晶效应，ε峰在整个温区范围内弥散，提高室温下介电常数，减小容量变化率。本系统中三价稀土氧化物Ho2O3和Er2O3等物质同时加入到BaTiO2陶瓷中后，稀土氧化物没有全部进入晶格内部发生取代，其中的一部分与其他添加剂形成一些非铁电相，提高耐压；另一部分留在晶界处，成为晶粒抑制剂，使得晶粒细小，瓷体致密，提高陶瓷的耐压。     

食道癌患者血清铜／锌比值及血清硒含量的测定及临床意义

报道了３５例食道癌患者血清铜／锌比值及血清硒水平，结果发现食道癌患者血清铜／锌比值增加，血清硒水平下降，具有显著性差异（Ｐ〈０．００１）；同时提示随着食道癌分期增加，铜／锌比值进一步增加，血硒水平进一步下降，但无统计学差异。上述结果对临床诊断及观察病情变化有一定意义。     

某些含二维液晶基元的热致液晶高分子的向列态纹影响构

发现某些含二维液晶基元的热致液晶高分子容易产生反向壁织构与含有高强度有错点（│Ｓ│大于１）的向列态纹影织构。这类液晶高分子的织构与形态学特点与含一维棒状液晶基元的其他液晶高分子不同。     

EQCM技术对电子传递促进机制的研究

本文报道了腺嘌呤存在时对超氧化物歧化酶在金丝电极上电化学行为的影响。并从电化学石英晶体微天平技术的测量结果，初步讨论了腺嘌呤对促进超氧化物歧化酶电子传递过程的作用机制。     

高频介质系统介电性能与相组成的定量关系分析

采用普通电子陶瓷工艺制备两种高频介质系统ZnO-B2O3-SiO2三元系和BaO-PbO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2五元系,通过XRD分析确定各系统的主晶相, 运用衍射峰强度计算法准确测定出各组分的体积百分含量,并代入Lichnetecker对数混合定则,计算出系统的介电性能,获得了分析介质系统介电性能与物相含量之间定量关系的新方法.     

移动门户网站用户流失研究

随着行业竞争的加剧和3G数据业务、增值业务的不断发展．从最早的服务分流渠道．到现在的企业电子商务平台，中国移动电子渠道已然成为一个新的企业经济增长点。由于门户网站实用性强、用户规模较大以及电子商务技术发展成熟的特点．使其首当其冲．担负着重要的销售职责。     

端粒酶活性检测研究进展

端粒酶活性检测方法经过近30年的不断改革与发展,取得了巨大突破。该文重点综述了近3年的端粒酶活性检测方法,其中包括化学反应发光法、电化学法、荧光分析法、比色法等,旨在更加全面地了解目前端粒酶活性检测的研究进展,为设计新的端粒酶活性检测方法和克服端粒酶活性检测方法在临床试验中的挑战提供思路。