单模光纤的传输衰减随温度变化的研究

本文从实验上测量了单模石英光纤在－50～120℃范围内的损耗。随着温度升高，光纤的损耗随之降低，在常温附近达到最小。其后损耗随着温度的继续升高而增加。损耗的变化主要是由于杂质的吸收和微弯损耗。本文对杂质的吸收以及微弯损耗进行了数值模拟，并且从理论上定性地解释了损耗对温度的依赖关系。     

由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜

提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米叶的厚度大约为20nm,宽度为100nm左右.用可变梯度磁力计测量了薄膜的磁滞回线,结果显示薄膜有很强的几何各向异性.     

化学腐蚀法对微重力环境下Bridgman法生长的锰掺杂锑化镓单晶的性质研究

A GaSb crystal incorporated with Mn has been grown by the Bridgman method on the Polizon facility onboard the FOTON-M3 spacecraft. Structural defects and growth striations have been successfully revealed by the chemical etching method. By calculating various parameters of the convection, the striation patterns can be explained, and the critical value of the Taylor number, which characterizes the convective condition of the rotating magnetic field induced azimuthal flow, was shown. The stresses generated during crystal growth can be reflected by the observations of etch pit distribution and other structural defects. Suggestions for improving the space experiment to improve the quality of the crystal are given.     

用准导模法分析单模光纤的模耦合损耗

本文用等效电流法将不规则的单模光纤看成是有源的理想光纤,求出极化电流场,并认为光纤损耗是由极化电流激发的准导模产生的。本文将准导模的概念用于等效电流法来求取单模光纤的模耦合损耗。这种方法脱离了耦合波的概念,但物理意义明确,方法简洁。     

由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜

提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米叶的厚度大约为20nm,宽度为100nm左右.用可变梯度磁力计测量了薄膜的磁滞回线,结果显示薄膜有很强的几何各向异性.     

高压GaAs微型太阳电池阵列的制备

为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。