基于DS P的PTCR多功能参数测试仪

利用数字信号处理器控制外围接口电路，对多路热敏电阻测试电路执行依次通/断电操作，循环执行，以测试其老化性能，循环次数由用户设定。在每次测试第一次通电过程中，控制动作时间比较电路启动，同时数字信号处理芯片自动记录每一路的热敏电阻的动作时间数据，并进行处理。该系统可以同时测试30只热敏元件。     

NH3/SiH4流量比对多晶硅/氮化硅复合层电池光电性能的影响研究

SiN薄膜因为具有良好的减反射性质和钝化作用, 越来越广泛地应用于晶硅太阳电池的制造工艺中。用等离子体化学气相沉积(PECVD)法, 通过改变流量比、气体总量及基底温度等工艺参数沉积SiN薄膜, 研究了流量比对在多晶硅太阳电池上所沉积的氮化硅薄膜性能的影响。实践表明, NH3/SiH4气体流量比为11.5∶1时电池材料具有最佳的光电性能。     

氧等离子体处理对纳米二氧化硅溶胶涂覆高强、高模聚乙烯纤维拉伸性能的影响

基于艾琳方程,提出用于定量分析纤维表面和纳米涂覆层间的纳米界面结构的理论模型.实验结果表明,纤维高分子链段受力塑性变形时,纳米界面结构内纳米微粒阻碍其形貌变化产生热激活体积,该热激活体积是纳米界面结构性能的重要表征;氧等离子体处理对纳米二氧化硅溶胶涂覆高强、高模聚乙烯纤维有增韧作用.由不同处理样品的扫描电子显微镜图片和傅里叶变换红外光谱曲线对比分析可知,经氧等离子体处理纳米二氧化硅溶胶涂覆高强、高模聚乙烯纤维的纳米涂覆层纳米颗粒分布均匀,纳米颗粒还填补纤维表面微观缺陷,活性官能团被引入到纤维表面. 关键词： 激活体积 氧等离子体 高强、高模聚乙烯纤维 纳米界面结构     

On the reverse leakage current of Schottky contacts on free-standing GaN at high reverse biases

In this work, a dislocation-related tunneling leakage current model is developed to explain the temperature-dependent reverse current–voltage(I–V –T) characteristics of a Schottky barrier diode fabricated on free-standing GaN substrate for reverse-bias voltages up to-150 V. The model suggests that the reverse leakage current is dominated by the direct tunneling of electrons from Schottky contact metal into a continuum of states associated with conductive dislocations in GaN epilayer.A reverse leakage current ideality factor, which originates from the scattering effect at metal/GaN interface, is introduced into the model. Good agreement between the experimental data and the simulated I–V curves is obtained.     

商业银行应完善结算服务

商业银行对企业的结算服务存在个别问题，容易形成企业账目不清、舞弊不易被察觉等。商业银行改进支票结算流程，增加给票据付款人的付讫通知、商业银行应提供更具体、详细的对账信息和更周到的查询服务、建立票据背书转让信息库等措施可以改善商业银行的结算服务，进而完善企业原始单据，加强企业会计资料的可靠性，并有利于防止和发现企业舞弊，降低全社会的查询、查证成本。     

氦等离子体处理对纳米二氧化硅溶胶涂覆T300碳纤维拉伸性能的影响

氦等离子体处理纳米二氧化硅溶胶涂覆T300碳纤维能构造出特定空间结构形态的纳米涂覆层.扫描电子显微镜照片显示,经氦等离子体处理后纳米二氧化硅溶胶涂覆T300碳纤维的纳米涂覆层在纤维表面分布均匀,起到填补纤维表面微观缺陷的功能.X射线光电子能谱及傅里叶变换红外光谱显示,纤维表面被引入了活性官能团,纳米二氧化硅涂覆层与碳纤维间有表面激活反应.形成纳米界面结构的T300碳纤维表面与纳米二氧化硅涂覆层间的相互作用符合艾琳方程,利用热激活体积可以对其相互作用进行定量分析.拉伸试验表明,屈服塑性变形导致纳米界面结构热激活,纳米微粒阻碍碳纤维表面大分子链形貌变化的热激活体积是纳米界面结构性能的重要表征. 关键词： 激活体积 溶胶涂覆 氦等离子体 纳米界面结构     

基于同步载波提取的光纤传感器相位生成载波解调方法

利用3×3耦合器和法拉第旋转镜等光学元件,构造了一个基于迈克尔逊干涉系统的光纤振动传感器.使用外调制的方法对传输光进行相位生成载波调制,并将该光纤振动传感器应用于长距离的安全监测中.通过对该传感器的干涉输出信号进行贝塞尔展开分析,发现干涉输出信号中含有与外调制所使用的载波频率相同的信号成分.因此,使用一个中心频率为载波频率且通带很窄的带通滤波器,可以同步地提取载波信号.同步提取的载波信号用于干涉输出信号的相位生成载波被动零差解调,可以得到作用于光纤振动传感器上的外界振动信号.本文提出了从输出信号中同步提取载波的方法,通过理论推导得出了该方法的可行性,并且通过软件仿真和实验验证了该理论的正确性.文中还对提取的载波受低频信号干扰,造成其幅度不稳定的现象进行分析并提出了解决方法.研究表明,同步载波提取法适用于相位调制器与干涉信号输出端距离较远,相位生成载波解调需要的同源载波获取较困难的情况.     

基于同步载波提取的光纤传感器相位生成载波解调方法

利用3×3耦合器和法拉第旋转镜等光学元件,构造了一个基于迈克尔逊干涉系统的光纤振动传感器.使用外调制的方法对传输光进行相位生成载波调制,并将该光纤振动传感器应用于长距离的安全监测中.通过对该传感器的干涉输出信号进行贝塞尔展开分析,发现干涉输出信号中含有与外调制所使用的载波频率相同的信号成分.因此,使用一个中心频率为载波...     

Formula for average energy required to produce a secondary electron in an insulator

Based on a simple classical model specifying that the primary electrons interact with the electrons of a lattice through the Coulomb force and a conclusion that the lattice scattering can be ignored, the formula for the average energy required to produce a secondary electron (ε) is obtained. On the basis of the energy band of an insulator and the formula for ε, the formula for the average energy required to produce a secondary electron in an insulator (εi) is deduced as a function of the width of the forbidden band (Eg) and electron affinity χ. Experimental values and the εi values calculated with the formula are compared, and the results validate the theory that explains the relationships among Eg , χ, and εi and suggest that the formula for εi is universal on the condition that the primary electrons at any energy hit the insulator.     

钛酸盐纳米管与二硫化碳修饰钛酸盐纳米管的合成、表征及其去除重金属离子性能

在水热法制备钛酸盐纳米管的基础上, 通过形成黄原酸基反应合成了CS2修饰的钛氧纳米管. 采用粉末X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)等技术对产物进行了表征. 以水溶液中铅离子、铜离子和银离子作为目标重金属离子, 分别用纯钛酸盐纳米管和CS2修饰后的钛氧纳米管对其进行反应和吸附, 通过一系列对比性实验, 评价了不同形式纳米管去除重金属的能力. 实验结果表明, 与文献报道的吸附剂对重金属离子的吸附量相比, 纯钛酸盐纳米管和CS2修饰的钛氧纳米管吸附重金属离子的容量非常大, 尤其是经CS2修饰后的钛氧纳米管去除铅离子的能力明显增强, 它们去除重金属离子的能力还与重金属盐的阴离子、溶液的pH值相关. 在相同的pH条件下, 钛酸盐纳米管去除铅离子、铜离子和银离子的能力分别为599.37, 163.22和474.73 mg/g; CS2修饰的钛氧纳米管去除铅离子、铜离子和银离子的能力分别为663.37, 160.21和423.05 mg/g.