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BSTO/MgO铁电移相材料的研究 总被引：10，自引：3，他引：7
采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料。研究了材料的相组成、显微结构和介电性能。经测试分析表明:MgO 与 BSTO 复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为 50%时,材料的低频(10 kHz)εr为 157,tgδ 为 0.000 6,高频(约 2.5 GHz)εr为 120,tgδ 为 0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为 17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求。 相似文献
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本文对热敏、压敏、湿敏、气敏及晶界层电容器等五类半导体陶瓷的基本原理，主要陶瓷材料进行了简要叙述，对半导体陶瓷现状及发展趋势进行了分析探讨，针对共性问题提出了某些看法和建议。 相似文献
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稀土掺杂的BSTO/MgO铁电移相材料 总被引：3，自引：0，他引：3
为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10kHz)与高频(2.5GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求10kHz下,tgδ=4×10–4,T=14.6%;2.41GHz下,tgδ=6.7×10–3。 相似文献
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电子陶瓷材料发展现状、展望与思考 总被引：5，自引：1，他引：4
综述了电子陶瓷的现状及发展趋势。重点介绍了基板材料、电阻基体材料、电容器陶瓷介质材料、压电陶瓷材料、微波陶瓷介质材料、热敏陶瓷材料,并对未来发展进行了展望与思考。 相似文献
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