C波段微波低相位噪声介质振荡源

介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。     

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器

报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。     

K波段收发集成多功能芯片

K波段收发集成多功能芯片由发射、接收上下2支路组成,发射信号由SPDT开关、中功率放大器和功率SPDT至天线,天线接收信号由功率SPDT开关、低噪声放大器和SPDT开关至后端再处理,开关由电源直接控制收发转换.     

Ku波段600W固态合成功放设计

文章介绍了一种Ku波段600W固态合成功率放大器的工程实现。根据工程应用的实际要求,该固态功率放大器采用多芯片多级合成,每级功率合成采用了不同的合成方式。其中芯片级合成选择了微带合成方式,模块级合成选择了多腔体空间耦合合成结构,组件级合成选择了波导合成方式。固放以6.5W的MMIC功放单片为基本单元,共采用了128个功放单片合成出大于600W的脉冲峰值功率,功率附加效率高达18.5%,并具有脉冲速度快、频谱纯净、体积小、可靠性高、工程上容易实现等优点。     

微波前馈功率放大技术

技术的发展带动了对高线性、高功率微波放大器的需求。传统的功率回退应用方法存在器件及效率方面的限制。文中分析了前馈技术提高功放线性度的原理,并给出Ｃ波段前馈功率放大器实例。     

碳纤维复合材料的等离子粗化工艺研究

表面粗化程度是决定碳纤维复合材料金属化镀层结合力好坏的关键。文中对碳纤维复合材料表面开展了机械粗化、化学粗化和等离子粗化试验,对处理后的外观、水膜破裂时间及温度循环试验结果进行比较,找到最适合碳纤维复合材料的粗化工艺。在等离子粗化试验中,对等离子处理的放电电流、处理时间进行对比,最终得到等离子处理碳纤维复合材料表面的最佳工艺参数。     

X波段150W固态合成功率放大器

介绍了一种利用波导实现X波段芯片级功率合成的方法,波导合成器特别适用于大功率、高频段的功率合成,损耗小、合成效率高。借助HFSS软件进行仿真优化,然后依托精密的机加工技术制作出来的波导功率合成器,具有良好的输出端驻波和很小的插损。合成单元20W模块由两个功率单片通过Wilkinson桥合成,在合成之前单独调试,确保功率和相位基本一致。最后得到的合成功率放大器输出功率大于150W,合成效率接近95%。     

采用金锡合金的气密性封装工艺研究

根据功率器件的气密性封装要求,设计了完整的金锡封焊工艺方法和流程,研究了工艺中的技术难点,提出了确保封装工艺稳定性和可靠性的技术要点.实验选甩Au80Sn20预成型焊环作为封接材料对器件进行气密性封装.通过大量试验得出了最佳工艺曲线(包括温度、时间、气氛和压力等).密封后的产品在经受各项环境试验和机械试验后,其结构完整性、电学特性、机械牢固性和封装气密性均能很好地满足要求,证明了采用倒置型装配的金锡封焊工艺的可行性及优越性.     

T／R组件核心技术最新发展综述（一）

以固态T／R组件为核心的有源相控阵（AESA）技术在雷达、电子战、制导武器和通信等领域都得到了广泛应用。T／R组件的成本约占整个相控阵雷达系统造价的60％,是固态有源相控阵雷达的核心。首先阐述了有源相控阵雷达T／R组件中的关键技术——GaAsMMIC技术和微波MCM技术,同时对T／R组件的最新发展现状及趋势进行了分析,以此来推动我国有源相控阵技术的快速发展。     

Parylene敷形涂层绝缘性能研究

聚对二甲苯(Parylene)是一种性能优异的敷形涂层材料,在航空、航天、电子领域的应用前景非常广泛。文中介绍了Parylene涂层绝缘性能的试验方法和试验过程,使用真空气相沉积技术制备了Parylene C、Parylene N、Parylene D涂层,对3种涂层不同厚度情况下的绝缘性能进行了比较,研究了涂层在常态下和温度冲击、湿热试验后的绝缘性能变化情况。为Parylene涂层在电子组件防护中的应用提供了技术支撑。