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1.
基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路.在1V电源电压下,采用1μm CMOS工艺进行仿真,温度系数在-20~120℃范围内达到13×10-6,低频电源抑制比达到-90dB.  相似文献   
2.
本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。  相似文献   
3.
本文介绍了锂电池保护电路设计的一般原理,并给出了设计实例,重点描叙了本芯片设计中部,分功能电路的实现方法。  相似文献   
4.
文章针对一种TFT LCD(薄膜场交应晶体管理液晶显示)栅驱动芯片ASTLC5301A,介绍了芯片的整体结构和工作原理,并进行了内部电路设计,包括双向移位寄存器和高低电平位移电路设计,同时完成了高低压驱动管的结构设计,最后采用PSPICE对整体电路进行了仿真.仿真结构表明功能完好  相似文献   
5.
设计了一种一次集成实现的CMOS脉宽功率调制功率放大器,介绍了其工作原理,给出了各子电路模块的设计方法并指出设计难点,此系统可用来驱动小功率的直流电机.  相似文献   
6.
针对直接数字频率合成(DDS)和集成锁相环(PLL)技术的特性,提出了一种新的DDS激励PLL系统频率合成时钟发生器方案。且DDS避免正弦查找表,即避免使用ROM,采用滤波的方法得到正弦波。  相似文献   
7.
张志平  吴玉广 《电子科技》2006,(4):31-34,38
由于脉宽调制器对振荡器频率要求越来越高,文中设计了一种新型的可产生高频脉冲的振荡电路,分析了它的工作原理,提出了该振荡器的关键参数确定的方法,并利用pspice仿真器对该电路进行了模拟与仿真,结果表明该电路可产生频率达1MHz,脉宽为零点几微秒的脉冲,符合了当前脉宽调制器对振荡器频率的要求.  相似文献   
8.
提出了一种基于直方图扩展的自动白平衡算法,使可调整的色温范围更广,已应用于一个摄像头芯片,实践证明调整的效果更明显.  相似文献   
9.
本文提出了一种用数模结合的方法设计相位差恒定、直流电平为零、具有较低失真度、适合单片集成的三相阶梯正弦波发生器。文中介绍了该电路的结构特点,分析了电路的基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。  相似文献   
10.
基于Chrt 0.35μm CMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似I^2 PTAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10—110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。  相似文献   
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