掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能     

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。     

含克尔介质微波激射器的原子辐射率

建立了含克尔介质微波激射器(micromaser with Kerr medium)的基本量子原理,分析计算了处于不同方式(热原子和超冷原子状态)下的二能级原子沿z轴穿过处于相干态的含克尔介质微腔的原子辐射率,并着重讨论了克尔介质与单模辐射场作用的耦合强度χ、失谐量Δ和原子注入速率r对原子辐射概率的影响. 关键词： 含克尔介质微波激射器 热原子和超冷原子 原子辐射率     

非对称光斑照明合成孔径激光雷达宽测绘带成像研究EI北大核心CSCD

合成孔径激光雷达(SAL)能实现远距离目标的高分辨成像,但是,其测绘带宽一般很小,不利于其在对地观测中的应用。针对这一问题,给出了宽测绘带SAL实际成像范围的建议,具体研究了采用方位向短、距离向长的非对称光斑照明实现宽测绘带SAL的成像处理问题。采用波动光学衍射理论,给出了这种宽测绘带SAL的详细成像理论描述和数学仿真成像演示。结果表明,由于光学的短波长特性,非对称光斑照明的宽测绘带SAL也近似遵循基本SAL图像形成方法:傅里叶变换实现距离压缩,匹配滤波实现方位图像聚焦。     

掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了AlGaAs层掺1%的In对AlGaAs/GaAs量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.25K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善AlGaAs/GaAs异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能.     

微波激射器注入原子的反转特性

建立了含克尔介质微波激射器腔场稳态光子数分布的表达式.研究了在热原子、临界和超 冷原子的方式下微波激射器中原子在稳态时的反转特性. 结果表明：注入的二能级原子在不 同方式下，原子的反转特性不一样. 在热原子方式下，原子在一部分腔长L的区域无反转， 且随原子注入速率的增大，反转区域和反转概率增大. 在临界方式下，原子的反转呈现周期 性的坍塌和复苏现象. 而在冷原子方式下，原子在腔长L的全部区域无反转. 克尔效应和失 谐量使原子的反转概率减小. 关键词： 微波激射器 原子反转 光子统计 克尔效应     

Photon statistics of the micromaser with a Kerr medium

We have established the master equation for the micromaser with a Kerr medium,we have studied the photon statics of the micromaser with a Kerr medium field and analysed the influence of the Kerr effect on the photon statistics,The influence of the Kerr effect on the photon statistics is different in two regimes,In the thermal-atom regime,the Kerr effect produces quantum noise,and decreases the mean photon number.In the ultracold-atom regime,with the increase of the nonlinear parameter of the Kerr medium,the stability of the mean photon number and the normalized variance enhances the mean photon number,and the normalized variance exhibits collapse-revival phenomena periodically,their resonance peaks become lower,and the photon statistics of more and more regions are sub-Poissonian.     

Improved carrier injection and confinement in InGaN light-emitting diodes containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers

In this study, an InGaN lighting-emitting diode(LED) containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers is proposed and investigated numerically. The simulation results of output performance, carrier concentration, and radiative recombination rate indicate that the proposed LED has a higher output power and an internal quantum efficiency, and a lower efficiency droop than the LED containing conventional GaN or AlGaN barriers. These improvements mainly arise from the modified energy bands, which is evidenced by analyzing the LED energy band diagram and electrostatic field near the active region.The modified energy bands effectively improve carrier injection and confinement, which significantly reduces electron leakage and increases the rate of radiative recombination in the quantum wells.     

运动的二能级原子与双模量子化腔场的相互作用

研究了一个微波激射器, 其腔内是单个运动的二能级原子与一双模量子化腔场的相互作用. 用修饰态来描述系统态矢量, 分析了在热原子状态下, 双模光场配制成不同的状态, 失谐量 对微波激射器的原子辐射率的影响. 关键词： 二能级原子 双模量子化腔场 原子辐射率     

基于合成频率步进线性调频信号的合成孔径激光雷达成像

为解决合成孔径激光雷达(SAL)所需高重复频率大带宽相干光源问题,提出了合成频率步进线性调频信号(SFSCS)的方案,并进行了基于SFSCS信号SAL(SFSCS-SAL)的成像理论和实验演示研究。采用多台独立的窄带宽高重复频率线性调频激光器构成SFSCS信号,给出了SFSCS-SAL的成像数据方程和图像形成方法。理论分析表明:在一定条件下,SFSCS-SAL的成像处理与常规SAL相同;但是,与单个子脉冲激光器SAL相比,SFSCS-SAL的距离向成像分辨率提高至少N倍(N为构成SFSCS的独立激光器数目)。实验演示中,利用一台1550nm波段的线性调波长激光器,通过光学斩波的方法模拟生成了子脉冲数为3的SFSCS信号。以此SFSCS信号作为探测光源,建立了SFSCS-SAL实验装置,对强散射目标和弱散射扩展目标,均实现了高分辨率成像。实验结果与理论分析一致。